Thông báo

Collapse

Trước khi định đặt câu hỏi gì về sử dụng diễn đàn, hãy đọc ở đây

Hướng dẫn sử dụng diễn đàn:


Hướng dẫn định hướng phát triển của diễn đàn:


Những công cụ cần thiết khác khi sử dụng diễn đàn:


Những hình thức kỷ luật của diễn đàn, thành viên cần chú ý:


Từ điển công nghệ: http://dientuvietnam.net/forums/showthread.php?t=12774
Email dùng chung: http://dientuvietnam.net/forums/showthread.php?t=5852


Thay mặt BDH.
Admin. Falleaf
Xem thêm
See less

Giải pháp đo xung dòng DC cường độ cao mà không có dao động ký kỹ thuật số

Collapse
X
 
  • Lọc
  • Giờ
  • Show
Clear All
new posts

  • Giải pháp đo xung dòng DC cường độ cao mà không có dao động ký kỹ thuật số

    Qua các thí nghiệm khảo sát các thông số kỹ thuật cơ bản của máy hàn cell pin dùng nguồn DC tôi trải các tình huống rất khó chịu sau :
    1- Chết 5 con mosfet 4N04R7 300A trong board mạch TQ do quá dòng khi tăng điện áp nguồn từ 6,5V lên 8,5V (hiện tượng chết mosfet xảy ra ngay lập tức trong lần test đầu tiên!)
    2- Mua trên Shopee 5 con mới thay vào board mạch RDS(on) cao hơn datasheet 8 lần, nhận xét ban đầu là không đáng tin cậy. Và kết quả 5 con này cũng chết trong hoàn cảnh tương tự.
    3 -Mua mới 10 con IRF3205 nhưng RDS(on) cao đến 30m Ohm nên dạt ra không thể dùng trong ứng dụng ngặt nghèo này
    4- Mua 10 con 3305 cũ thông số RDS(on)=0,9 mOhm, bắt song song tuy được tin tưởng chất lượng đạt chuẩn nhưng vẫn chết.
    Liên tiếp thất bại còn hơn cả quá tam 3 bận Nên thế tôi rất bức xúc và càng muốn xác định ngưỡng chiu đựng của số mosfet đã chết kể trên và từ động cơ đó thực hiện một động thái lần thứ 5
    5-Tôi tiếp tục mua 10 con IRFB 3077 cũ trên Lazada giá khá tốt (96k/10con) nhưng ship hơi cao (40k) lần này may mắn nên mua được hàng chất lượng vượt mong đợi vì RDS(on) của 10 con sau khi hàn kết nối đạt 0,26 m Ohm, VGS(12V) tốt hơn tiêu chuẩn của hãng International Rectifier (có nghĩa là nó là hàng chính hãng)
    Có được con át chủ bài trong tay tôi quyết tâm tìm kiếm nguyên nhân chết hàng loạt mosfet dòng cao như trên.
    Để làm sáng tỏ được vấn đề trên tôi cần phải đo dòng tải mà mosfet phải gánh.Muốn đo được xung dòng cao vài trăm Ampere thì cách hay nhất là dùng dao động ký kỹ thuật số ghi lại được dạng và biên độ xung thì khá đơn giản để xác định được dòng. Thí dụ lắp song song 10 con 0,1 ta sẽ có con trở 10mOhm. Xem sóng rơi trên con trở này sẽ tính được dòng dễ dàng.Nhưng thiết bị này của tôi đã hòng mấy năm trước nên trong hoàn cảnh này phải tìm cách khác để xác định được dòng làm chết mosfet với sai số thấp nhất có thể.
    Trong hoàn cảnh này tôi nghĩ ra cách dùng siêu tụ để đo điện tích Ít chảy qua nó qua đó biết t sẽ xác định được I. Vì đang có sẳn 2 con siêu tụ 360 Farad 2,7V nên tôi tiến hành thực hiện một số bước thí nghiệm như sau:.
    Thí nghiệm đợt 1
    * Bước 1
    Đo dung lượng thực của siêu tụ để xác lập giá trị thực điện dung siêu tụ cho chắc theo cách như sau:
    Sạc khoảng 2V vào siêu tụ xác định điện thế trước khi xả, cho xả qua 1 máy đo dung lượng mAh khi điện thế trước xả và sau xả chênh đủ 1V thì dừng, máy đo dung lượng cho kết quả là 90mAh / V, lẽ ra tụ 360 Farad sẽ xả được 100mAh cho mổi V do đó điện dung tụ chì bằng 90% trị số nhà sản xuất in trên sản phẩm tức là 360*90/100=324Fard.
    (360 Farad là 360As=0,1Ah=100mAh)
    * Bước 2
    Lắp mạch điện gồm bộ nguồn pin Lithium sắt-photphat 32-650 6,5V nội trở 3,6m Ohm và 1 siêu tụ 360 Fard với cực dương vào cực dương của nguồn. Xả tụ về 0v trước khi thí nghiệm.Vai trò của siêu tụ là đo điện tích It chảy qua nó để tìm I.
    -Sau khi hàn 10 điểm với thời gian mỗi điểm hàn 14ms, điện thế tăng của tụ siêu t đo được là V1=206mV.ứng với tổng thời gian nạp 140ms
    Theo công thức nguyên lý tụ C*V=I*t nên I=C*V/t
    Thế các số liệu trên vào ta được
    * Tình huống 1: tạo áp lực khoảng vài Newton lên 2 kim hàn điện thế nạp là 206 mV
    I1=324* 206/140=476A (lược giản 10 mũ-3 tren và dưới)
    * Tình huống 2: giảm nhẹ 50% áp lực lên kim hàn điện thế nạp là 194mV nên
    I1’ là 324*194/140=448A
    Tuy dòng giảm nhưng mối hàn có vẽ tốt hơn nên hiện tượng này thu hút sự chú ý của tôi nhằm có lời giải thích hợp lý về vấn đề này.
    Ai cũng biết nhiệt phát ra tỉ lệ thuận với bình phương dòng và tỷ lệ thuận với điện trở trong trường hợp này dòng giảm còn 94,1% nên nhiệt phát ra chỉ còn 88,5%(giảm 12,5%)nhưng bù điênt trở mối hàn tăng mạnh hơn nên tổng thể mối hàn khi đè nhẹ tay lại ngấu hơn mối hàn đè mạnh tay. Có bạn đã khuyến nghị như trên trong Youtube.
    Tiếp tục tìm kiếm thông tin về điện trở mối hàn vì nó thu hút sự chú ý của tôi thí nghiệm với sự vắng mặt của mối hàn bằng cách chà giấy nhám sạch kim hàn và xả qua một mảnh đồng lá sạch.loại bò bụi bằng da tay cho kỹ) ta thu được dòng xả trong tình huống chập kim hàn
    Với V2=234mV;t2=14*10=140ms
    I2= 324*234/(140)=546A là dòng cao nhất mà các mạch đóng cắt kể trên hoạt động tren nguồn 6,5V
    Gọi R1 là tổng điện trở toàn mạch khi áp lực lên kim hàn mạnh R1=6.5/476=13,66 mOhm
    Gọi R1’ là tổng điện trở toàn mạch khi áp lực lên kim hàn nhẹ R1=6.5/448=14,5 mOhm
    R2 ổng điện trở toàn mạch khi khi chập 2 kim hàn là R2= 6.5/546=11,9 mOhm
    Điện trở mối hàn là khi đè mạnh tay là R0= R1-R2= 1,76mOhm
    Điện trở mối hàn khi đè nhẹ tay là R0’=R2-R1=14,5-11,9=2.6 mOhm
    Do việc phát nhiệt tỉ lệ thuận với điện trở nên ta thấy hiệu suất hàn trong hoàn cảnh cụ thể này là đè nhẹ tay sự phát nhiệt cao hơn đè mạnh tay là 2,6/1,76=40%
    So với giảm 12,5% nhiệt do giảm Ampere sự tăng điện trở này là vượt trội hơn nen mối hàn ngấu hơn!
    Thí nghiệm đợt 2
    Xác định dòng I khi tăng điện áp nguồn lên 8,5V
    Giải pháp là cũng với các thành phần trên nhưng siêu tụ xoay chiều ngược lại sạc vào 2V dự kiến dòng sẽ tăng theo tỷ lệ 8.5/6,55=1.3 (tăng 30%)
    trong thí nghiệm này siêu tụ có 2 chức năng: Một là tang điện áp nguồn , hai là là đo điện tích suy giảm của siêu tụ để tính I
    • Tình huống 3 chập kim hàn tạo dòng lớn nhất và đo I
    V3=290mV;t=140ms
    I3=324*290/140=674A (tăng gần 24% so với nguồn 6,5V thấp hơn so với dự kiến là 6% có lẽ do điện trở tại các vị trí tiếp xúc tăng theo dòng ) Với bộ mosfet IRFB 3077 lần này nó chay ngon ơ ( hy vong nó chịu được hơn 800A)
    • Tình huống 3a hàn kẽm 1 dième
    Điện áp sụt trên siêu tụ 270 mV dòng hàn là I=324*270/140=624A
    Điện trở toàn mạch 8,5/624=13,6 mOhm
    • Tình huống 3b hàn kẽm 2 dieme
    Điện áp sụt trên siêu tụ 260 mV dòng hàn là I=324*260/140=601A
    Điện trở toàn mạch 8,5/601=14,1 mOhm
    Tổng kết
    Đáp án chính : Những trường hợp Mosfet đã chết liệt kê bên trên cho thấy chúng vượt qua ngưỡng dòng 546A nhưng thực sựkhông chịu nỗi dòng trong tính huống 3a là 624A
    Thu hoạch kèm: điện trở tại mối hàn quá nhỏ 1,7 mOhm và 2,6 mOhm nên nhìn chung hiệu suất hàn quá thấp
    lần lượt là 1,7/13,6=12,5% và 2,6/14,5=18% để tăng hiệu suất hàn cụ thể như hàn AC điện thế hàn chỉ 2,5V và đường cable dẫn điện có tiết diện đến 25mm2.( trước đây có lần tôi xác dịnh điện trở mối hàn khoảng 5 mOhm do lúc đó xác đinh I theo cách quan sát đơn xung trên dao động ký analog và dùng sự ước lượng bằng mắt dẩn tới sai số lớn!

  • #2
    Một phép thử thực nghiệm quá cầu kì.phải chăng vấn đề từ kim hàn, độ ép, và ngưỡng nguồn vào của máy bác để quá tầm NSX? Nếu thực tế vậy không lẽ NTK máy kia đã tính sai?
    em thấy giữa các lần thử nghiệm bác cí xả siêu tụ về 0 hết hay vẫn làm tiếp tới? (Vì dòng nạp và thời gian nạp cho tụ bị ảnh hưởng bởi V tụ chứ không đơn thuần mỗi chỉ số F)

    Comment

    Về tác giả

    Collapse

    chinhnguyen9 Tìm hiểu thêm về chinhnguyen9

    Bài viết mới nhất

    Collapse

    Đang tải...
    X