IGBT,MOSFET, hiểu biết và các mạch ứng dụng.

[qmk]

Có ở chợ thật à?

Ôi má ơi, F tui ngu rùi... tốc độ mấy con diode đó là bao nhiêu vậy bác? Tên là gì? Mua tiệm nào? Cho anh em biết cái. Nếu hàng độc, bác email tui cái... Cũng cần, nếu có ở VN thì tội vạ gì phải chơi hàng xa xôi....

Regards,

Ừ.
Dĩ nhiên là không nhiều như TI nhưng chắc là rẻ hơn và đa số đều có thể tìm được. Ví dụ như trước mặt tôi có mấy con FR307.
Đáp ứng xung:
- Maximum Reverse Recovery Time (Note 1): 500 ns mấy con 301, 302 là (150).
NOTES : 1. Test Conditions: IF = 0.5A, IR = -1.0A, IRR = -0.25A
2. Measured at 1 MHZ and applied reverse voltage of 4.0 volts

MOSFET thì khó mua hơn nhưng cũng mua được.

[AFH]

Cái này em kô rõ lắm nhưng hình như tần số giới hạn của Diot bán ngoài trợ là 800k thì phải. Kô biết có đúng kô?
AFH

[falleaf]

Có ở chợ thật à?

Ôi má ơi, F tui ngu rùi... tốc độ mấy con diode đó là bao nhiêu vậy bác? Tên là gì? Mua tiệm nào? Cho anh em biết cái. Nếu hàng độc, bác email tui cái... Cũng cần, nếu có ở VN thì tội vạ gì phải chơi hàng xa xôi....

Regards,

[qmk]

[QUOTE = thaithutrang]
Hình như anh nói về MOSFET driver?
Điều khiển MOSFET ở tần số thấp sẽ ko phức tạp, nhưng với tần số cao thì điều đó ko dễ dàng chút nào, bởi tụ ký sinh tại chân Gate.Vậy với tần số khoảng >100Khz, vậy giải pháp nào cho trường hợp này? [/QUOTE]

Anh có một số con Driver như thế!
To Fall: Bác không biết đấy thôi diode bán đầy ngoài chợ.
To AFH: Đấy chỉ là một phương pháp thôi.
Theo em thì lúc nào người ta cần driver tốc độ cao?

[AFH]

Hình như anh nói về MOSFET driver?
Điều khiển MOSFET ở tần số thấp sẽ ko phức tạp, nhưng với tần số cao thì điều đó ko dễ dàng chút nào, bởi tụ ký sinh tại chân Gate.Vậy với tần số khoảng >100Khz, vậy giải pháp nào cho trường hợp này?

Biết ngay là dấu đầu hở đuôi. ha ha....
Thôi, AFH đi chơi đây, xin lỗi vì đã spam bài.
AFH

postscript to cô bé xấu xí: using hi-speed optocoupler to directly driver the gate that can isolate the controller schematic from the power schematic, using fast diot paralling with R_gate to speed up the state-off transition. Using the positive and negative gate driving voltage to fast turn on and turn off the FETs or IGBTs. And after all, don't ask me about schematics as you can find it anywhere online.

[falleaf]

Cái anh tính cho em là con diode , vì dường như tốc độ đóng mở diode sẽ quyết định trong trường hợp này . Em dạo qua www.ti.com, thích con nào anh cho em con đó, nhưng làm xong cái CAN đã, được không nào? Anh không rành lắm về vấn đề công suất, nên có gì em làm rồi chỉ cho anh thêm, được không?

Chào buổi sáng

[MinhHa]

Điều khiển bằng điện áp cao > 20V. qua R // C // Diode. Bảo vệ GATE = ZENER 12V. Tần số 400KHz vẫn ngon. Nhưng còn tùy thuộc vào tải. Thuần trở thì không vấn đề gì Nhưng tải L là phải tính chính xác.

[thaithutrang]

Hình như anh nói về MOSFET driver?
Điều khiển MOSFET ở tần số thấp sẽ ko phức tạp, nhưng với tần số cao thì điều đó ko dễ dàng chút nào, bởi tụ ký sinh tại chân Gate.Vậy với tần số khoảng >100Khz, vậy giải pháp nào cho trường hợp này?

[falleaf]

Vậy giải pháp nào để điều khiển MOSFET ở tần số tương đối cao? mong các anh phổ biến kiến thức về vấn đề này.Thanks.

Hic, em cứ làm anh phải tốn tiền thôi,... nhưng em làm xong cái CAN, nghỉ tết thật vui vẻ, ra tết anh tặng em thêm cái này...

anh không rành về mosfet lắm đâu, nhưng anh biết nó có ích. Em muốn trên 25KHz hay khoảng MHz?

[thaithutrang]

Vậy giải pháp nào để điều khiển MOSFET ở tần số tương đối cao? mong các anh phổ biến kiến thức về vấn đề này.Thanks.

[qmk]

Tìm ra cái sai để mọi người viết bài có trách nhiệm hơn cũng tốt chứ sao miễn là tỉnh táo đừng để cái tôi lấn át tinh thần khoa học là được...

Còn ai sợ sai mà không viết thì...

[thaithutrang]

Hi hi...hôm qua anh F mới cho em một trận rồi, từ nay em ko nhắm vào ai cả, chỉ lắng nghe và góp ý. Ko xoi mói cái sai của người khác nữa đâu.

[AFH]

Vậy việc điều khiển MOSFET có khác transistor lưỡng cực rồi, giải pháp? có quá khó ko?
Hình như anh AFH bị ám ảnh bởi những lần đối đáp với em nên rất tiết kiệm lời nói... hihi...

ờ, có một cô bé xấu xí nhắm vào anh nên anh phải cẩn thận, em biết kô cô bé đó hôm trước bụp anh một phát ở phần RS485, cũng do anh bất cẩn, kô chịu hiểu kỹ cái Driver đó mà. Do đó bây giờ gặp ai cũng phải cẩn thận.
Thế em muốn đối đáp gì nữa nào hả cô bé xấu xí kia. lêu lêu... anh kô ngại đối đáp với em đâu, và cũng kô ngại nói câu "A.. S.. R.." đâu, nếu đúng là sai thì nhận luôn. Kô láu cá đâu.

admin cho em spam một chút:

@AFH: Sao cái gì anh cũng biết vậy! anh học thế nào?
@thaithutrang: Chắc bạn này không còn là SV! Biết nhiều thế không biết.

lick này tức quá đi mất!

Trời, anh chỉ hay múa mép một tý thôi mà em đã tưởng thế rồi. Thật ra có nhiều cao nhân lắm, đơn cử như các anh BinhAnh, Falleaf, ATYLA, MinhHa, qmk, ........ vân vân............ họ đã giỏi lại tiết kiệm lời nữa. Xin khâm phục.
Em kô thấy 2 bài viết của anh qmk ở trên hả? đã thấy cao thủ chưa? trình bày rất chi tiết nhé.
À, quên, còn cô bé xấu xí kia nữa cũng giỏi lắm đó. Chắc là hơn AFH đó. hi hi.....
lick này, Đừng hoảng hốt nếu thấy họ giỏi hơn mình, mà hãy hoảng hốt là vì sao ta kô chịu học cho bằng họ. Anh học rất chậm, cái gì cũng chậm, nhưng anh tin là nếu cùng chạy đến đích thì thỏ hay rùa cũng đến nơi thôi, có thể rùa đến chậm hơn nhưng miễn sao đừng bỏ cuộc là được. Thế nhé, hãy vững tin mà học cho tốt.
AFH

[qmk]

Còn hai giá trị quan trọng cần quan tâm khi thiết kế là
- Vds max. Thường khi thiết kế dùng dưới 2/3 giá trị này. Ví dụ Vds Max của IRF540 là 100V. Cho nên dùng nó để điều khiển các động cơ 24V là hợp lý. Khi bị quá áp MOSFET cũng bị nổ to không kém.
- Imax dòng max của MOSFET thường rất cao so với BJT cùng loại vỏ nhưng khi dùng chú ý công suất tiêu tán để tản nhiệt cho thích hợp.

Và cuối cùng khuyên các em gái nên tránh xa điện tử công suất. Một lĩnh vực cần lòng dũng cảm... Và các giác quan nhanh nhạy:
Mắt nhìn (có khói không), mũi ngửi (có mùi lạ không), tai nghe (có tiếng nổ không), tay sờ (nhiệt độ ra sao)... Và nhảy... khi có sự cố.

[qmk]

MOSFET thường dùng trong điều khiển công suất, do vậy đa số nó dùng ở chế độ đóng ngắt. Vì vậy chỉ so sánh với BJT ở chế độ này.

Khác biệt thứ nhất là mô hình:
- MOSFET là mô hình nguồn dòng phụ thuộc áp
- BJT là mô hình dòng phụ thuộc dòng

Như vậy để kích dẫn MOSFET cần đưa điện áp vào hai cực Vgs.
Một điểm khác của MOSFET nữa là MOSFET có Vds không ổn định như Vce mà nó phụ thuộc vào giá trị ổn định khác là Rds-on (Ở chế độ đóng ngắt). Như vậy Vds = Id*Rds. Như vậy công suất tiêu tán trên MOSFET chủ yếu phụ thuộc vào Rds. Ploss = Id^2*Rds.

Có hai loại MOSFET kênh P và kênh N.
Loại kênh N thường có Rds nhỏ hơn kênh P.
Loại kênh N cần Vgs > 0 để dẫn.
Loại kênh P cần Vgs < 0 để dẫn.


Đa số các MOSFET bắt đầu dẫn khi abs(Vgs) xấp xỉ 5. Thường giá trị khuyến cáo là 10V. Khi điện áp lớn hơn 15 bắt đầu có nguy cơ đánh thủng Vgs. Khá nguy hiểm là khi bị thủng MOSFET thường dẫn luôn dẫn đến dễ nổ. Cái này văng vào mắt thì.... Còn mấy cô gái như em Trang còn cẩn thận văng vào mặt có sẹo nữa... :P

Trong mô hình của MOSFET có một cái tụ ký sinh từ gọi là Cgs cần quan tâm đến tụ này khi thiết kế mạch lái sử dụng PWM.

Khi làm Robot thường dùng con IRF540 để lái động cơ DC hoặc dùng mạch cầu IRF9540(trên)/IRF540(dưới) để điều khiển hướng (Mặc dù cách điều khiển này rất chuối).

Đó là các kiến thức cơ bản về MOSFET mà mọi người nên biết. Và thế cũng tương đối đủ để làm việc rồi.