Sự khác nhau khi dùng mạch điều tốc có Mosfet và Transitor

[manhktqd]

Em mới tập tọe nghịch ngợm nên các anh chị cho em hỏi sự khác nhau khi dùng mạch điều tốc có Mosfet và Transitor ạ
Em cám ơn.

[HTTTTH]

Chỉ có thể so sánh một cái BJT cụ thể với một cái MOSFET cụ thể. Hỏi như bạn, khó trả lời.

[Thanh Ng]

Vài thập niên trước thì mình hay dùng BJT vì sự thông dụng của nó. Sau này thì FET rất thông dụng gần như không ai dùng BJT. Mạch lái FET dễ và hiệu suất hơn mạch lại BJT. Công suất thất thoát của FET là I*I*Rds so với BJT là Vce*Ic. Ở dòng cao FET có lợi hơn BJT. FET chuyển xung nhanh hơn BJT do đó công suất loss khi chuyển xung sẽ ít hơn.

[htc2k14]

Nhìn chung:
- MOSFET nhanh hơn BJT -> Si đang bị thay thế bởi GaN và/hoặc SiC
- BJT có dòng cao hơn (khả năng sản xuất chứ ko thấy nhiều) ---> đang bị thay thế bởi IGBT và/hoặc GTO
Cái hình phía dưới ko biết còn đúng ko chứ 1 vài năm trước vẫn đúng.

[HTTTTH]

Ngày "xưa", sò công suất dòng của TV cần một tấm giải nhiệt to đùng. Sau này, sò đứng một mình kể cả trong TV CRT với màn hình 20 inches.
Bếp từ dùng IGBT, công suất tới 1500W mà tấm giải nhiệt chỉ tương đương tấm giải nhiệt của TV 150W thời "xưa".
Chứng tỏ BJT, IGBT,... đã được cải tiến rất nhiều để giảm tổn hao. Trở nội giảm, dòng Ic max tăng,...
Đem trở nội, dòng max,... so với MOSFET thì MOSFET vẫn có phần chiếm ưu thế, khi mà Rds của một số MOSFET có thể đạt tới mức 0,1 Ohm, khi dòng tải cỡ 10A, tổn hao chỉ vào cỡ chục Watts.
...
Vấn đề là bạn phải chọn đúng linh kiện để đặt vào vị trí, khỏi tốn tiền mua thêm bia để nhậu với lô "sò nướng".