Mạch dao động đơn giản.

[chung1608]

trưa trưa đi học về dịch tầm bậy tầm bạ cho, mạch này mình nghĩ nó hoạt động theo kiểu đặc tính tự khuyếch đại dòng rò cuả trans, còn việc dẫn từ E--->C là bình thường

dịch cái này này ^^!
A Negative Differential Resistance Oscillator with a Negistor

[superhieu1]

You will find below a very simple experiment that anyone can perform with few and cheap electronic components. This experiment will demonstrate you how a very simple oscillator can be built with a component which shows a Negative Differential Resistance ( NDR ) effect when it is used properly.

Bạn sẽ tìm thấy bên dưới một thử nghiệm rất đơn giản mà bất cứ ai cũng có thể thực hiện với vài linh kiện điện tử và rẻ tiền. Thử nghiệm này sẽ chứng minh làm thế nào một bộ dao động rất đơn giản có thể được xây dựng với một thành phần trong đó cho thấy Negative Differential Resistanc (NDR)(cái này em cũng không biết dịch ntn nữa) có hiệu ứng khi nó được sử dụng đúng cách .


There is no overunity effect here but this device is worth to be known because in this case the NDR component used does not seem to agree with the basic Ohm's Law : According to the Ohm's law an increase of the voltage produces an increase of the current, in this case, in the negative resistance region of the NDR characteristic curve, an increase of the voltage produces a decrease of the current. This NDR effect in semiconductors has been discovered by Leo Esaki, he has been awarded a Nobel Prize in 1973 for his discovery of the Tunnel Effect used in the Tunnel diode. A tunnel diode ( the Esaki diode ) is a special component which has been specially designed to operate in the negative resistance region. ( See "Field emission - Fowler-Nordheim tunneling" ). Some other components which produce the NDR effect are the Gunn diode and the Lambda diode.

chúng thì overunity hiệu quả nhưng thiết bị này được biết đến bởi vì trong trường hợp này các thành phần NDR sử dụng không như định luật Ohm cơ bản : Theo định luật của Ohm tăng điện áp-->tăng dòng , trong trường hợp này,đường cong trong vùng trở kháng đặc trưng của NDR, tăng điện áp ---> giảm dòng . Hiệu ứng NDR trong các chất bán dẫn đã được phát hiện bởi Leo Esaki , ông đã được trao giải Nobel năm 1973 cho khám phá của ông, các hiệu ứng Tunnel được sử dụng trong các diode Tunnel. Một tunnel diode (diode Esaki) là một thành phần đặc biệt đã được thiết kế đặc biệt để hoạt động trong vùng kháng cự tiêu cực . (Xem "Lĩnh vực phát thải - Fowler-Nordheim đường hầm ") Một số linh kiện khác sử dụng hiệu ứng NDR là các diode Gunn và diode Lambda .


The Tunnel diode has been patented by Leo Esaki : US4198644:Tunnel diode by Esaki; Leo 1980 ( see the full Esaki patent )


Diode Tunnel đã được cấp bằng sáng chế bởi Leo Esaki: US4198644 : Tunnel diode bởi Esaki; Leo 1980 (xem bằng sáng chế Esaki đầy đủ )

This NDR component is a common and cheap NPN transistor 2N2222A. ( see the 2N2222A datasheet )

Thành phần NDR trong bóng bán dẫn NPN 2N2222A thìphổ biến và rẻ tiền.


Used in the reverse mode this transistor has been called "The Negistor" by Richard Phares ( see : KeelyNet on negative resistance - 04/07/00 ).

sử dụng trong chế độ đảo ngược bóng bán dẫn này được gọi là " Negistor "của Richard Phares .

You will see below the Voltage/Current curve characteristic of the Negistor in the NDR region :

Bạn sẽ thấy dưới đây đường cong đặc tính điện áp / dòng Negistor của NDR:

So, it is very easy to build a NDR oscillator with a Negistor, see the diagram below :

Vì vậy, rất dễ dàng để làm một bộ dao động NDR với một Negistor , xem sơ đồ dưới đây:


It is also possible to connect the Negistors in serie, this will allow to use more voltage/current at the DC input and thus this will give you more power at the output coil ( see below ). The coil can be also a primary coil of a transformer..

Nó cũng có thể kết nối các Negistors trong serie, điều này sẽ cho phép sử dụng điện áp / dòng điện ở đầu vào DC và do đó điều này sẽ cung cấp cho bạn nhiều năng lượng ở các cuộn dây đầu ra (xem dưới ). Cuộn dây có thể cũng là một cuộn dây sơ cấp của máy biến áp ...


hic, Em dịch tầm bậy, đọc ráng hiểu chút nha

[vd2020]

đọc xong.
không hiểu...

[thanh_dt]

thôi, nhưng cũng cảm ơn người dịch, nếu đưa tôi cái này chí it cũng 2 tuần mới thịt dc nó hix

[thanh_dt]

cái mạch quái này sao ráp ko chạy nhỉ, C thay bằng 100u có dc ko vậy?

[superhieu1]

chạy chứ, nếu áp 12v thì trở 2k2 hoặc 4k7, thông số như trên, nó chẳng có gì cả, chì là sự sụt áp trên trở, và sự cân bằng áp hai đầu tụ tức thời thôi, có nghĩa là nó gần giống đa hài, nhưng áp cực B sẽ đc thả nổi và đc phân áp theo điện trở tiếp giáp B-c, B-C, từ đó sẽ xảy ra hiện tượng tự dao động, trường hợp này hơi đặc biệt vì áp cực B đc phân áp nhờ điện trở tiếp giáp và hiệnt ượng khuyếch đại dòng rò của trans

[bboyminh]

chắc là bác hiếu nhờ anh google dịch hộ rồi

[thanh_dt]

xì chét quá, loay hoay với dăm bảy con linh kiện thế mà ko làm dc trò trống gì, vẫn ko chạy

[superhieu1]

vâng, có nhưng câu ko biết phai lên gôgle chứ, em dốt E nhất quả đất mà bác....quang trọng là mình biết no hoạt động ra sao

kỳ vậy, bác làm y chang mach dau là dc, nhớ gắn trans ngược

[hongson113]

e tìm thấy tài liệu về mạch này rồi. bác nào giỏi tiếng anh dịch cho a e trên diễn đàn rõ với
nguyên văn của nó đây:
"UNCONVENTIONAL CIRCUITS:
The following circuit converts 1.5v to a voltage that is higher than the reverse break-down voltage of the emitter-collector junction of the BC547. When this voltage is reached the junction breaks-down and creates a low voltage across it. This allows the voltage on the 100u to pass to the white LED and create a flash. The voltage across the 100u drops and the junction comes out of conduction and the cycle repeats.
[ATTACH=CONFIG]33656[/ATTACH]

The next circuit uses the same "Junction Breakdown" phenomenon but this time the high voltage is supplied by a 12v to 20v battery.
All transistors have a single junction or two junctions between each pair of leads. They are called a "PN" junction or a PNP junction or an NPN junction - depending on which leads are selected. The junctions between each pair of leads behave differently, however the junction(s) we are interested in, is between the collector and emitter leads.
When a voltage is applied to these leads in the reverse direction, an unusual thing happens.
As the voltage is increased, the junction suddenly breaks down and a high current will flow , according to the energy available from the electrolytic. This occurs at a voltage of between 12v and 20v, (some transistors will require a higher voltage) depending on the type of transistor and the manufacturer. When the voltage across the leads falls, the current stops.
In other words, the resistance between the two leads decreases when the voltage rises to between 12v and 20v (and the voltage across the two leads is about 0.5v and this is a characteristic of the junction). When the supply-voltage drops, the junction-resistance increases and the electrolytic charges.
This feature can be used to flash a LED as shown in the following diagram:
[ATTACH=CONFIG]33657[/ATTACH]
Flasher circuit using "Junction Breakdown"

The circuit above is very unreliable and only works with some transistors. The voltage is very important. It must be high enough to cause the junction(s) between the emitter and collector leads to breakdown.
The flash-rate will depend on the value of the top resistor and the electrolytic and also the voltage at which the transistor break-down. The circuit consumes less than 1mA and the 100R prevents a high current flowing through the LED (from the electrolytic). Without the 100R, the LED is destroyed instantly.
The circuit is a very good demonstration of breakdown but due to the high supply voltage needed, it is not a practical design. The previous circuit should be used."

"Độc đáo mạch:
Các mạch chuyển đổi 1.5V một điện áp cao hơn so với điện áp đột phá đảo ngược của các đường giao nhau emitter-thu của các BC547. Khi điện áp này là đạt đến ngã ba phá vỡ xuống và tạo ra một điện áp thấp qua nó. Điều này cho phép điện áp trên các 100U để vượt qua đèn LED trắng và tạo ra một đèn flash. Điện áp trên những giọt 100U và đường giao nhau đi ra dẫn và lặp đi lặp lại chu kỳ.
WhiteLEDFlasher.gif

Các mạch tiếp theo sử dụng "Junction Breakdown" cùng một hiện tượng nhưng thời gian này, điện áp cao được cung cấp bởi một 12v pin 20v.
Tất cả các bóng bán dẫn có một ngã ba đơn hoặc hai nút giao giữa mỗi cặp dẫn. Chúng được gọi là "PN" ngã ba hoặc ngã ba một PNP hoặc ngã ba một NPN - tùy dẫn được lựa chọn. Các mối nối giữa mỗi cặp dẫn đến hành xử khác nhau, tuy nhiên các đường giao nhau (s), chúng tôi được quan tâm, là giữa các nhà sưu tập và dẫn phát.
Khi một điện áp được áp dụng cho những dẫn theo hướng ngược lại, một điều bất thường xảy ra.
Khi điện áp tăng lên, tiếp xúc đột nhiên bị phá vỡ và một dòng điện cao sẽ chảy, theo năng lượng có sẵn từ điện phân. Điều này xảy ra tại một hiệu điện thế giữa 12v và 20v, (một số bóng bán dẫn sẽ yêu cầu một điện áp cao hơn) tùy thuộc vào loại bóng bán dẫn và nhà sản xuất. Khi điện áp trên các dẫn giảm, các điểm dừng hiện tại.
Nói cách khác, điện trở giữa hai nhân vật chính giảm khi điện áp tăng lên giữa 12v và 20v (và điện áp trên hai nhân vật chính là khoảng 0.5v và điều này là một đặc tính khớp nối). Khi những giọt cung cấp điện áp, tăng sức đề kháng ngã ba và những chi phí điện.
Tính năng này có thể được sử dụng để đèn flash LED như thể hiện trong sơ đồ sau đây:
LED_Flasher-Breakdown.gif
Flasher mạch bằng cách sử dụng "Breakdown Junction"

Các mạch ở trên là hoạt động rất không đáng tin cậy và chỉ với một số bóng bán dẫn. Điện áp là rất quan trọng. Nó phải đủ cao để gây ra các đường giao nhau (s) giữa phát và thu dẫn đến sự cố.
Tỷ lệ flash sẽ phụ thuộc vào giá trị hàng đầu của điện trở và điện phân và cũng là điện áp mà tại đó các bóng bán dẫn hỏng hóc. Mạch tiêu thụ ít hơn 1mA và 100R ngăn chặn một dòng chảy thông qua các đèn LED (điện phân). Nếu không có 100R, LED là bị phá hủy ngay lập tức.
Mạch là một minh chứng rất tốt của sự cố nhưng do điện áp cung cấp cao cần thiết, nó không phải là một thiết kế thực tế. Các mạch trước đó nên được sử dụng. "
google nó dịch ra thế, hơi khó hiểu nhỉ..^_^

[thanh_dt]

vâng, có nhưng câu ko biết phai lên gôgle chứ, em dốt E nhất quả đất mà bác....quang trọng là mình biết no hoạt động ra s
kỳ vậy, bác làm y chang mach dau là dc, nhớ gắn trans ngược

uhm, mình định làm cái mạch cho còi xe máy khi bấm nó tự on-off nên làm thử nhưng ko dc, cắm trên board đa năng mà, thử mấy lần đều ko dc

[superhieu1]

kỳ vậy, trở bá dùng con 2k2-->4k7, cần trở cho cho led 100R, mấy cái kia y chang, trans phải còn sống, ráp c1815 đi, mấy con khác ko biết có đc cái đặc tuyến này ko

[HTTTTH]

DỊCH ĐẠI ĐI, SỬ DỤNG LẠI BẢN CỦA Shieu:

You will find below a very simple experiment that anyone can perform with few and cheap electronic components. This experiment will demonstrate you how a very simple oscillator can be built with a component which shows a Negative Differential Resistance ( NDR ) effect when it is used properly.

Dưới đây bạn sẽ tìm thấy một thử nghiệm rất đơn giản mà bất cứ ai cũng có thể thực hiện được với một vài linh kiện điện tử rẻ tiền. Thực nghiệm này sẽ chứng minh cho bạn thấy, làm thế nào một bộ dao động rất đơn giản có thể được thực hiện với một linh kiện có hiệu ứng điện trở vi phân âm (Negative Differential Resistanc - NDR) (*) khi được sử dụng đúng cách.

There is no overunity effect here but this device is worth to be known because in this case the NDR component used does not seem to agree with the basic Ohm's Law : According to the Ohm's law an increase of the voltage produces an increase of the current, in this case, in the negative resistance region of the NDR characteristic curve, an increase of the voltage produces a decrease of the current. This NDR effect in semiconductors has been discovered by Leo Esaki, he has been awarded a Nobel Prize in 1973 for his discovery of the Tunnel Effect used in the Tunnel diode. A tunnel diode ( the Esaki diode ) is a special component which has been specially designed to operate in the negative resistance region. ( See "Field emission - Fowler-Nordheim tunneling" ). Some other components which produce the NDR effect are the Gunn diode and the Lambda diode.

Ở đây không có hiệu ứng "overrunity" nhưng thiết bị này ít được biết đến bởi vì trong trường hợp này các linh kiện NDR được sử dụng trông như không theo định luật Ohm cơ bản: Theo định luật Ohm thì khi điện áp tăng --> dòng điện tăng, nhưng trong trường hợp này, trong vùng trở kháng âm của đặc tuyến NDR, thì khi điện áp tăng lên, dòng điện lại giảm xuống. Hiệu ứng NDR trong các chất bán dẫn đã được phát hiện bởi Leo Esaki , người đã được trao giải Nobel năm 1973 cho khám phá về hiệu ứng đường hầm (Tunnel), hiệu ứng được sử dụng trong các diode Tunnel. Một tunnel diode (hay còn gọi là diode Esaki) là một linh kiện đặc biệt đã được thiết kế đặc biệt để hoạt động trong vùng trở kháng âm . (Xem thêm "Sự phát xạ trường - sự xuyên hầm Fowler-Nordheim "). Một số linh kiện khác có sử dụng hiệu ứng NDR là các diode Gunn và diode Lambda.

The Tunnel diode has been patented by Leo Esaki : US4198644:Tunnel diode by Esaki; Leo 1980 ( see the full Esaki patent )

Diode Tunnel đã được cấp bằng sáng chế bởi Leo Esaki: patent số US4198644 : Tunnel diode bởi Esaki; Leo 1980 (xem bằng sáng chế Esaki đầy đủ )

This NDR component is a common and cheap NPN transistor 2N2222A. ( see the 2N2222A datasheet )

Transistor phổ biến và rẻ tiền loại NPN 2N2222A cũng là một linh kiện NDR .

Used in the reverse mode this transistor has been called "The Negistor" by Richard Phares ( see : KeelyNet on negative resistance - 04/07/00 ).

Khi được sử dụng ở chế độ đảo , transistor này còn được gọi là " Negistor", theo Richard Phares .

You will see below the Voltage/Current curve characteristic of the Negistor in the NDR region :

Dưới đây, bạn sẽ thấy dưới đây đặc tuyến Vôn - Ampe của Negistor trong vùng NDR:

So, it is very easy to build a NDR oscillator with a Negistor, see the diagram below :

Vì vậy, rất dễ dàng để làm một bộ dao động NDR với một Negistor , xem sơ đồ dưới đây:


It is also possible to connect the Negistors in serie, this will allow to use more voltage/current at the DC input and thus this will give you more power at the output coil ( see below ). The coil can be also a primary coil of a transformer..

Ta cũng có thể kết nối nối tiếp các Negistors , điều này sẽ cho phép sử dụng điện áp / dòng điện lớn hơn ở đầu vào DC và do đó điều này sẽ cung cấp cho bạn nhiều năng lượng ở các cuộn dây đầu ra (xem dưới ). Cuộn dây đó có thể cũng là một cuộn dây sơ cấp của máy biến áp ...

* Nói thêm một chút về Hiệu ứng điện trở vi phân âm NDR:
Với điện trở thuần (linh kiện thụ động), chúng ta thường quen với khái niệm (định luật Ohm) I = U/R , tức là U tăng thì kéo theo I tăng, bởi vì R dương.
Trong linh kiện bán dẫn, là linh kiện tích cực, có những vùng đặc tuyến V-A mà tại đó khi U tăng thì I giảm (ví dụ trong diode Tunnel, ... ). Tại đó, theo biểu thức điện trở vi phân DR = DU/DI < 0 (viết chữ D thay cho delta là lượng vi phân), hay gọi là "điện trở vi phân âm".
Khi linh kiện làm việc tại vùng điện trở vi phân âm, sẽ xảy ra khả năng "tự bù năng lượng", hay nói cách khác, sẽ tạo nên được dao động, vì không cần có tín hiệu lối vào sẽ vẫn có tín hiệu lối ra.
Người ta còn có thể tạo dao động chỉ bởi một linh kiện tích cực là diode Zener , bởi vì tại đặc tuyến ngược của nó cũng có vùng NDR.

[HTTTTH]

"MẮC DỊCH" TIẾP:

"UNCONVENTIONAL CIRCUITS:
The following circuit converts 1.5v to a voltage that is higher than the reverse break-down voltage of the emitter-collector junction of the BC547. When this voltage is reached the junction breaks-down and creates a low voltage across it. This allows the voltage on the 100u to pass to the white LED and create a flash. The voltage across the 100u drops and the junction comes out of conduction and the cycle repeats.
NHỮNG MẠCH ĐIỆN LẠ THƯỜNG
Mạch điện sau đây biến đổi điện áp 1,5 V thành điện áp cao hơn so với điện áp đánh thủng tiếp giáp C-E của transistor BC547. Khi điện áp này đạt tới điện áp đánh thủng tiếp giáp sẽ có một sụt áp nhỏ trên (tiếp giáp) đó. Điều đó cho phép điện áp tích trên tụ 100uF phóng qua LED trắng và tạo nên một chớp sáng. Điện áp trên tụ 100uF giảm xuống, tiếp giáp (C-E) đóng lại và một chu kỳ mới lại bắt đầu.
The next circuit uses the same "Junction Breakdown" phenomenon but this time the high voltage is supplied by a 12v to 20v battery.
Mạch điện tiếp theo dùng hiện tượng giống như “đánh thủng tiếp giáp” nhưng ở đây sử dụng điện áp nguồn cao từ accu 12 – 20V.
All transistors have a single junction or two junctions between each pair of leads. They are called a "PN" junction or a PNP junction or an NPN junction - depending on which leads are selected. The junctions between each pair of leads behave differently, however the junction(s) we are interested in, is between the collector and emitter leads.
Một transistor có một hoặc hai tiếp giáp giữa mỗi cặp chân (linh kiện). Chúng được gọi là tiếp giáp PN hoặc tiếp giáp PNP hoặc tiếp giáp NPN, phụ thuộc vào các cặp chân được sử dụng. Các tiếp giáp giữa từng cặp chân có khác nhau, tuy nhiên (các ) tiếp giáp mà chúng ta quan tâm đến là tiếp giáp giữa các chân C và E.
When a voltage is applied to these leads in the reverse direction, an unusual thing happens.
As the voltage is increased, the junction suddenly breaks down and a high current will flow , according to the energy available from the electrolytic. This occurs at a voltage of between 12v and 20v, (some transistors will require a higher voltage) depending on the type of transistor and the manufacturer. When the voltage across the leads falls, the current stops.
Khi điện áp đặt vào các chân này theo chiều ngược, một sự kiện bất thường sẽ xảy ra: Khi điện áp tăng lên, tiếp giáp bất ngờ bị đánh thủng cho một dòng lớn chảy qua nó, tùy thuộc vào khả năng tích tụ năng lượng của tụ hóa. Điều này xảy ra với điện áp trong khoảng giữa 12V và 20V, phụ thuộc vào loại transistor và nhà xản xuẩt (một số transistor đòi hỏi điện áp cao hơn). Khi điện áp trên các cực (của transistor) giảm, dòng điện bị ngắt.
In other words, the resistance between the two leads decreases when the voltage rises to between 12v and 20v (and the voltage across the two leads is about 0.5v and this is a characteristic of the junction). When the supply-voltage drops, the junction-resistance increases and the electrolytic charges.
Nói cách khác, điện trở giữa 2 cực (của transistor) giảm khi điện áp tăng tới giữa 12V và 20V (và sụt áp trên 2 cực là khoảng 0,5V, đó là đặc tính của tiếp giáp). Khi nguồn cấp giảm, điện trở tiếp giáp lại tăng và tụ hóa lại được nạp điện.
This feature can be used to flash a LED as shown in the following diagram:
Đặc điểm này có thể được sử dụng để chớp đèn LED như sơ đồ dưới đây
Flasher circuit using "Junction Breakdown"
Sơ đồ mạch đèn chớp sử dụng (hiện tượng) đánh thủng tiếp giáp
The circuit above is very unreliable and only works with some transistors. The voltage is very important. It must be high enough to cause the junction(s) between the emitter and collector leads to breakdown.
Mạch điện này rất khó thực hiện và chỉ hoạt động được với một số transistor. Mức điện áp là rất quan trọng. Nó cần phải đủ cao để gây nên sự đánh thủng tiếp giáp giữa C và E.
The flash-rate will depend on the value of the top resistor and the electrolytic and also the voltage at which the transistor break-down. The circuit consumes less than 1mA and the 100R prevents a high current flowing through the LED (from the electrolytic). Without the 100R, the LED is destroyed instantly.
Độ chớp của đèn sẽ phụ thuộc vào điện trở phía trên và tụ hóa, nó cũng còn phụ thuộc vào điện áp mà tại đó transistor bị đánh thủng. Mạch tiêu hao dòng ít hơn 1mA và điện trở 100R để hạn chế dòng lớn quá từ tụ hóa chảy qua LED. Không có điện trở 100R, LED sẽ bị hỏng ngay tức khắc.
The circuit is a very good demonstration of breakdown but due to the high supply voltage needed."
Mạch này là một minh chứng rất tốt của sự đánh thủng vì cần điện áp lớn.

Chắc các bạn có thể hiểu được, vì tôi không nhờ bác Gu-Gồ, mà dịch theo cách hiểu của mình.

[HTTTTH]

Các bạn xem trong datasheet của các transistor, ta sẽ thấy Ube0 nhỏ hơn Uce0. Ta không thấy có giá trị Ucb0, nhưng ta có thể tính được; ví dụ với transistor Silic loại npn thì Ucb0 = Uce0 - Ube, với Ube khoảng 0,6-0,7V . Các giá trị Ube0 và Uce0 tương ứng với điện áp đánh thủng của các tiếp giáp đơn B-E và C-B khi phân cực ngược.

Khi cấp điện theo chiều ngược, chẳng hạn với transistor loại npn thì cấp điện áp âm vào C, dương vào E, khi đó tiếp giáp EB bị phân cực ngược, tiếp giáp BC được phân cực thuận; sụt áp trên BC là 0,5 - 0,7V. Điện áp đặt trên EB vượt quá Ube0 sẽ làm tiếp giáp này bị "đánh thủng" tương tự như một diode Zener, và có dòng chảy qua transistor từ E tới C qua LED làm cho LED chớp sáng.
Người ta khuyên phân cực ngược cho transistor là để điện áp nguồn cấp nhỏ hơn vì Ube0 nhỏ hơn.

Không phải transistor nào cũng có thể thực hiện được mạch điện này, do công nghệ chế tạo các transistor có khác nhau.
Chỉ những transistor có thể hồi phục tiếp giáp sau khi đánh thủng (giống như Zener) thì mới dùng được.
Do đó nếu thực hiện với 1 transistor nào đó mà thấy LED sáng luôn mà không chớp, thì có nghĩa là cái transistor đã tèo luôn rồi.