IGBT,MOSFET, hiểu biết và các mạch ứng dụng.

[thangnguyenc]

chọn con FET có thông số ngang ngửa đc ko nhi? con IGBT này hơi bị khó kiếm

[bqviet]

Các cụ cho hỏi thay IGBT bằng Mosfet đc ko nhi? định thay con STGP19NC60KD bằng con IRF 3205 đc ko nhỉ? ( mạch kích điện)

Chúng khác xa nhau một trời một vực, cả bản chất lẫn thông số
STGP19NC60KD : 20A 600V
IRF3205 : 110A 55V

[thangnguyenc]

Các cụ cho hỏi thay IGBT bằng Mosfet đc ko nhi? định thay con STGP19NC60KD bằng con IRF 3205 đc ko nhỉ? ( mạch kích điện)

[trunglq2007]

IGBT thường dùng trong các mạch cầu H Inverter, mạch nguồn xung , PFC

[taihung7z]

Các bác cho em hỏi các thông số Rds(on), Qg(total gate charge), Ciss của mosfet có ý nghĩa gì vậy nếu các giá trị này lớn thì sao mà nhỏ thì ntn ạ. Cám ơn các bác.

Rds(on) là điện trở giữa cực D và cực S khi mosfet ON (dẫn/mở hoàn toàn). Đó là khi điện áp giữa cực G và S của mosfet lớn hơn 5V hoặc 10V đối với N-chanel mosfet, hoặc nhỏ hơn -5V hoặc -10V đối với P-chanel mosfet. Lưu ý, giá trị Rds(on) này thường tăng theo nhiệt độ làm việc của mosfet, hiệu ứng nhiệt trở dương này cho phép mắc song song nhiều mosfet để giảm Rds(on) và cân bằng dòng giữa các mosfet. Không giống như IGBT, việc ghép song song khó hơn, phải chọn loại có hỗ trợ.
Qg là đại lượng điện dung mà mạch lái driver cần phải nạp cho mosfet để mở hoàn toàn, bạn chú ý Qg này thay đổi theo điện áp lái. Nếu con mosfet có thể mở bão hòa ở 5V, mà bạn dùng điện áp lái là 15V thì không được lợi gì. Thậm chí làm nóng driver, tăng tổn hao không tải vì khi đó năng lượng để lái con mosfet sơ bộ tăng lên 03 lần. Nếu Driver không đủ dòng lái thì thời gian on/off hay rise/fall time của mosfet sẽ tăng lên và làm cho tăng tổn hao đóng cắt - switching. Công thức sơ bộ là: I = Q*t. trong đó I là dòng lái max của driver, Q là total gate charge, t là thời gian rise/fall. Đối với các dòng mosfet mới có Qg ngày càng nhỏ hơn các thế hệ cũ khi có cùng điện áp và dòng làm việc. Điều này cho phép mosfet đóng cắt với tần số nhanh hơn, giảm tổn hao đóng cắt. Nhưng cái gì cũng có cái lợi và cái hại của nó. Đồng nghĩa với việc chuyển mạch nhanh, một số vượt quá giới hạn di/dt tốc độ tăng trưởng dòng hoặc dv/dt tốc độ tăng trưởng áp dẫn tới mosfet bị nổ. Cái này không phải do nóng quá mà nổ đâu. Ngoài ra, khi đóng cắt quá nhanh dẫn tới khi phân tích FFT mạch hard switching PWM thì sóng hài bậc cao có biên độ lớn hơn. Khi đó cần trang bị thêm các mạch lọc filter đầu vào và đầu ra. Cái này hay nhìn thấy nhất ở các module nguồn mật độ công suất cao hiện nay. Vì thế, dug Qg nhỏ thì cái quan trọng là thiết kế cho phép rise/fall time là bao nhiêu để tính RG điện trở cực lái. Nếu Qg lớn thì Rg có thể nhỏ đi, Qg nhỏ thì Rg lại lớn. Do đó khi thiết kế việc chọn lựa mosfet phù hợp về mặt kĩ thuật và giá thành cũng không phải dễ.
Ciss là tụ kí sinh cho đầu vào, cái này trong các datasheet mosfet đều giải thích hết rồi. Tiếng Anh nhé. Khi bạn tính toán trên Qg rồi thì không cần quan tâm cái này cho lắm. Chỉ khi bạn làm với các mạch đóng cắt tần số cao, nguồn cộng hưởng thôi.
Một điều quan trọng nữa là khi chọn mosfet cho các mạch hard switching thì nên chọn Crss nhỏ thôi. Giá trị này tương đương với tụ điện song song giữa cực D và cực S. khi đóng cắt tụ này sẽ phóng nạp qua Rson của mosfet làm nóng fet và tăng tổn hao. Trái ngược đối với một số mạch cộng hưởng, thì người ta còn mắc thêm tụ Crss ngoài để đạt giá trị cần thiết cho mạch cộng hưởng hoạt động và đạt ZVS/ZCS.

Vì vậy chọn lớn hay nhỏ các giá trị trên còn phải xác định thêm điều kiện làm việc khác như tần số switching, hard switching hay soft switching, ...

[marshaldvt]

Các bác cho em hỏi các thông số Rds(on), Qg(total gate charge), Ciss của mosfet có ý nghĩa gì vậy nếu các giá trị này lớn thì sao mà nhỏ thì ntn ạ. Cám ơn các bác.

Rds(on) là điện trở của FET khi kích cho vào chân G điện áp để FET dẫn bão hòa. Tùy thuộc mỗi loại có thể từ 3 đến 10V
Qg : là điện lượng để nạp các tụ ký sinh giữa các lơp bán dẫn Cgd, Cgs, Cds. FET càng mạnh thì Qg càng lớn, cần driver càng mạnh, để nhanh đạt trạng thái bão hòa, nếu ko FET sẽ nóng nổ.
Ciss. như nói ở trên là tụ điện kỹ sinh.
Muốn hiểu thêm bạn có thể đọc về điện tử bán dẫn. ngoài C còn có L nhưng ko đáng kể.

[nhanktdk35]

Các bác cho em hỏi các thông số Rds(on), Qg(total gate charge), Ciss của mosfet có ý nghĩa gì vậy nếu các giá trị này lớn thì sao mà nhỏ thì ntn ạ. Cám ơn các bác.

[quangdongueh]

ra nhật tảo mua luôn cái bo, khỏi lắp mất công

[rongdatvamuc]

Cảm ơn bạn bqviet nhiều, để tối về làm thử. À mà không biết trong đống bùi nhùi ở nhà có tồn tại mấy con này ko đã chứ, không có lại bò ra Nhật tảo nữa

[bqviet]

Dùng 555 kết hợp MOSFET, đừng dùng với BJT - vừa nóng vừa hiệu suất thấp. Ví dụ IRFZ24, IRF540 ... là thay thế tốt. Nối 555 sang MOSFET cũng đơn giản hơn so với nối sang BJT.

[rongdatvamuc]

Ở đây toàn cao thủ điện tử công suất, khâm phục quá. Các bạn cho mình hỏi cái này với: mình có cái chổi quét nhà bằng mo tơ 7,5 V, xài pin, nhưng mau hết pin với xạc pin mệt quá, mình muốn dùng cái cục nguồn cắm sạc của lap top để đấu vào cho mo tơ chạy luôn, nó chạy mạnh quá, may là chưa cháy mo tơ. Các bạn chỉ mình giảm điện xuống 7,5 v được không? Mình có dùng mạch băm xung áp, dùng con 555, biến trở, Tip121 mà nó nóng con tip 121 quá, với lại nó xẹt lửa ở con biến trở nữa . Có ai giúp mình với.

[dtam89]

e đánh dấu ko trôi bài này he he

[delete]

coi tài liệu tối qua tới giờ, tôi có thể giải thích cho bạn như sau:

[ATTACH=CONFIG]60689[/ATTACH]

nhìn theo hình này, bạn sẽ thấy 1 con R, Fast diode, tụ boostrap:


ở chế độ cầu H(ở đây ta xét nữa cây cầu) thì khi Q dưới dẫn, tụ boostrap được nao qua R, diode, khi Q dưới tắt, thì áp ngay chỗ Vs sẽ không còn = gnd nữa, nhưng nó vẫn chưa trồi lên tới VDC+ vì chưa nó chưa dẫn. nếu không có tụ, Q trên được kích, áp chân E cua Q trên tiến dần về DC+ làm Vs tăng theo, nhưng lại làm giảm áp Vge, làm rơi vào vùng khuyếch đại, làm hỏng Q trên, nhờ co tụ boostrap, lúc này V- của tụ = Vs, bán kỳ trước tụ đã được nạp, bán kỳ này vẫn còn, lúc này Vs tăng gần đến DC+ như vậy làm Vb tăng lên vượt quá Vcc, lúc này fast diode phát hut tác dụng, không cho tụ xả ngược về, như vậy Vb tăng lên đủ sức để mosfet nội bên trong IC driver dẫn áp từ Vb xuất ra để kích Q trên dẫn bão hoà ==> tốt. chức năng của điện trở dùng để hạn dòng bảo vệ diode, tụ boostrap và bảo vệ mosfet bên trong IC driver, do tần số nạp xả rất cao nên dòng qua tụ kí sinh trong Q rất lớn, làm hỏng IC.

bạn xem cấu trúc con ir2148 sẽ thấy:

[ATTACH=CONFIG]60690[/ATTACH]



xem thêm: http://www.dientuvietnam.net/forums/...75/#post672241

@superhieu1: Em đọc hết mấy topic và chút ít tài liệu cũng còn mơ hồ quá nhưng thấy cái đỏ đỏ bên trên thấy có gì đó không ổn thì phải. Nếu em hiểu cái tụ Bostrap khi con Q dưới ngắt thì nó chính là nguồn riêng cấp cho ge Q trên, khi đó nó riêng biệt không liên quan gì đến áp chân E=Vs so với DC+ Q trên nữa, vậy nguồn riêng Vb,Vs không chung mass thì sao có thể khi vs=E tăng do 1 nguồn khác(dc+) lại làm vb tăng được.

Thật khó diễn đạt nhưng nếu hiểu tụ bostrap ở chu kỳ Q trên dẫn là 1 nguồn riêng thì áp chân E cho Q trên dẫn nguồn Dc xuống có thay đổi thế nào thì cũng k ảnh hưởng gì đến UVbVs

Nhưng bác đo bằng osilo để có kết quả này thì làm em thấy mình hiểu sai rồi
------------------
áp Vb so với GND thì sóng "vuông" có độ lớn thay đổi từ 0V đến 2VD+, còn thằng VB so với VS luôn là Vd+ phẳng, nhưng áp Vgs high lại có dạng vuông có độ lớn 0V đến 2VD+

[tuantrans]

nhân tiện tớ có mạch này đang băn khoăn xem có thể thay con 2sc5407 trong mạch bằng con IGBT IXYH50N120C3D1 được không mọi người?

[tuantrans]

Chào các bạn

Mình có một cái mạch kích điện cầu H dùng IRFP22N60K, nhưng mình muốn tăng công suất cao hơn, cỡ 5KW. Theo mình tìm hiểu thì phải dùng IGBT. Nhưng phải có bộ kích cho IGBT có phải không?. Bạn nào đã làm về IGBT rùi chỉ cho mình với. Để có được 5KW thì dùng loại IGBT nào?. Mua ở đâu, giá khoảng bao nhiêu nhỉ?. Mình đang ở Hà Nội.

Cảm ơn các bạn

tanbinh_mu@yahoo.com

bác sang bên hoàng phát icvn.com có mấy con chắc đáp ứng cho bác được