IGBT,MOSFET, hiểu biết và các mạch ứng dụng.

[ga_cong]

Rds(on) là điện trở giữa cực D và cực S khi mosfet ON (dẫn/mở hoàn toàn). Đó là khi điện áp giữa cực G và S của mosfet lớn hơn 5V hoặc 10V đối với N-chanel mosfet, hoặc nhỏ hơn -5V hoặc -10V đối với P-chanel mosfet. Lưu ý, giá trị Rds(on) này thường tăng theo nhiệt độ làm việc của mosfet, hiệu ứng nhiệt trở dương này cho phép mắc song song nhiều mosfet để giảm Rds(on) và cân bằng dòng giữa các mosfet. Không giống như IGBT, việc ghép song song khó hơn, phải chọn loại có hỗ trợ.
Qg là đại lượng điện dung mà mạch lái driver cần phải nạp cho mosfet để mở hoàn toàn, bạn chú ý Qg này thay đổi theo điện áp lái. Nếu con mosfet có thể mở bão hòa ở 5V, mà bạn dùng điện áp lái là 15V thì không được lợi gì. Thậm chí làm nóng driver, tăng tổn hao không tải vì khi đó năng lượng để lái con mosfet sơ bộ tăng lên 03 lần. Nếu Driver không đủ dòng lái thì thời gian on/off hay rise/fall time của mosfet sẽ tăng lên và làm cho tăng tổn hao đóng cắt - switching. Công thức sơ bộ là: I = Q*t. trong đó I là dòng lái max của driver, Q là total gate charge, t là thời gian rise/fall. Đối với các dòng mosfet mới có Qg ngày càng nhỏ hơn các thế hệ cũ khi có cùng điện áp và dòng làm việc. Điều này cho phép mosfet đóng cắt với tần số nhanh hơn, giảm tổn hao đóng cắt. Nhưng cái gì cũng có cái lợi và cái hại của nó. Đồng nghĩa với việc chuyển mạch nhanh, một số vượt quá giới hạn di/dt tốc độ tăng trưởng dòng hoặc dv/dt tốc độ tăng trưởng áp dẫn tới mosfet bị nổ. Cái này không phải do nóng quá mà nổ đâu. Ngoài ra, khi đóng cắt quá nhanh dẫn tới khi phân tích FFT mạch hard switching PWM thì sóng hài bậc cao có biên độ lớn hơn. Khi đó cần trang bị thêm các mạch lọc filter đầu vào và đầu ra. Cái này hay nhìn thấy nhất ở các module nguồn mật độ công suất cao hiện nay. Vì thế, dug Qg nhỏ thì cái quan trọng là thiết kế cho phép rise/fall time là bao nhiêu để tính RG điện trở cực lái. Nếu Qg lớn thì Rg có thể nhỏ đi, Qg nhỏ thì Rg lại lớn. Do đó khi thiết kế việc chọn lựa mosfet phù hợp về mặt kĩ thuật và giá thành cũng không phải dễ.
Ciss là tụ kí sinh cho đầu vào, cái này trong các datasheet mosfet đều giải thích hết rồi. Tiếng Anh nhé. Khi bạn tính toán trên Qg rồi thì không cần quan tâm cái này cho lắm. Chỉ khi bạn làm với các mạch đóng cắt tần số cao, nguồn cộng hưởng thôi.
Một điều quan trọng nữa là khi chọn mosfet cho các mạch hard switching thì nên chọn Crss nhỏ thôi. Giá trị này tương đương với tụ điện song song giữa cực D và cực S. khi đóng cắt tụ này sẽ phóng nạp qua Rson của mosfet làm nóng fet và tăng tổn hao. Trái ngược đối với một số mạch cộng hưởng, thì người ta còn mắc thêm tụ Crss ngoài để đạt giá trị cần thiết cho mạch cộng hưởng hoạt động và đạt ZVS/ZCS.

Vì vậy chọn lớn hay nhỏ các giá trị trên còn phải xác định thêm điều kiện làm việc khác như tần số switching, hard switching hay soft switching, ...

Công thức phải là I =Q/t chứ bác

[taihung7z]

Bác có tài liệu hay kinh nghiệm về cách phân cực cho MOSFET hoạt động ở chế độ Switching không cho em xin với

Cái này mình ko có tài liệu cụ thể nào nói riêng phần này cả.
Thông thường nó đi theo từng thiết kế cụ thể, như flyback - hard-switching, forward, half-bridge, full-bridge, ...
Theo ngôn ngữ chuyên ngành thì phân cực dành cho chế độ tuyến tính transistor (Bit & Mosfet), chứ ko dành cho switching
Việc lựa chọn dòng lái, điện áp lái, damping, mosfet khá phức tạp, bạn cần nêu rõ cấu hình mình mong muốn.
Chính vì thế hiện nay có rất ít sản phẩm tích hợp driver + mosfet thành module, nếu có thì giá thành cũng khá cao.

brg!

[nmc12345]

Rds(on) là điện trở giữa cực D và cực S khi mosfet ON (dẫn/mở hoàn toàn). Đó là khi điện áp giữa cực G và S của mosfet lớn hơn 5V hoặc 10V đối với N-chanel mosfet, hoặc nhỏ hơn -5V hoặc -10V đối với P-chanel mosfet. Lưu ý, giá trị Rds(on) này thường tăng theo nhiệt độ làm việc của mosfet, hiệu ứng nhiệt trở dương này cho phép mắc song song nhiều mosfet để giảm Rds(on) và cân bằng dòng giữa các mosfet. Không giống như IGBT, việc ghép song song khó hơn, phải chọn loại có hỗ trợ.
Qg là đại lượng điện dung mà mạch lái driver cần phải nạp cho mosfet để mở hoàn toàn, bạn chú ý Qg này thay đổi theo điện áp lái. Nếu con mosfet có thể mở bão hòa ở 5V, mà bạn dùng điện áp lái là 15V thì không được lợi gì. Thậm chí làm nóng driver, tăng tổn hao không tải vì khi đó năng lượng để lái con mosfet sơ bộ tăng lên 03 lần. Nếu Driver không đủ dòng lái thì thời gian on/off hay rise/fall time của mosfet sẽ tăng lên và làm cho tăng tổn hao đóng cắt - switching. Công thức sơ bộ là: I = Q*t. trong đó I là dòng lái max của driver, Q là total gate charge, t là thời gian rise/fall. Đối với các dòng mosfet mới có Qg ngày càng nhỏ hơn các thế hệ cũ khi có cùng điện áp và dòng làm việc. Điều này cho phép mosfet đóng cắt với tần số nhanh hơn, giảm tổn hao đóng cắt. Nhưng cái gì cũng có cái lợi và cái hại của nó. Đồng nghĩa với việc chuyển mạch nhanh, một số vượt quá giới hạn di/dt tốc độ tăng trưởng dòng hoặc dv/dt tốc độ tăng trưởng áp dẫn tới mosfet bị nổ. Cái này không phải do nóng quá mà nổ đâu. Ngoài ra, khi đóng cắt quá nhanh dẫn tới khi phân tích FFT mạch hard switching PWM thì sóng hài bậc cao có biên độ lớn hơn. Khi đó cần trang bị thêm các mạch lọc filter đầu vào và đầu ra. Cái này hay nhìn thấy nhất ở các module nguồn mật độ công suất cao hiện nay. Vì thế, dug Qg nhỏ thì cái quan trọng là thiết kế cho phép rise/fall time là bao nhiêu để tính RG điện trở cực lái. Nếu Qg lớn thì Rg có thể nhỏ đi, Qg nhỏ thì Rg lại lớn. Do đó khi thiết kế việc chọn lựa mosfet phù hợp về mặt kĩ thuật và giá thành cũng không phải dễ.
Ciss là tụ kí sinh cho đầu vào, cái này trong các datasheet mosfet đều giải thích hết rồi. Tiếng Anh nhé. Khi bạn tính toán trên Qg rồi thì không cần quan tâm cái này cho lắm. Chỉ khi bạn làm với các mạch đóng cắt tần số cao, nguồn cộng hưởng thôi.
Một điều quan trọng nữa là khi chọn mosfet cho các mạch hard switching thì nên chọn Crss nhỏ thôi. Giá trị này tương đương với tụ điện song song giữa cực D và cực S. khi đóng cắt tụ này sẽ phóng nạp qua Rson của mosfet làm nóng fet và tăng tổn hao. Trái ngược đối với một số mạch cộng hưởng, thì người ta còn mắc thêm tụ Crss ngoài để đạt giá trị cần thiết cho mạch cộng hưởng hoạt động và đạt ZVS/ZCS.

Vì vậy chọn lớn hay nhỏ các giá trị trên còn phải xác định thêm điều kiện làm việc khác như tần số switching, hard switching hay soft switching, ...

Bác có tài liệu hay kinh nghiệm về cách phân cực cho MOSFET hoạt động ở chế độ Switching không cho em xin với

[quangdongueh]

Rds(on) là điện trở giữa cực D và cực S khi mosfet ON (dẫn/mở hoàn toàn). Đó là khi điện áp giữa cực G và S của mosfet lớn hơn 5V hoặc 10V đối với N-chanel mosfet, hoặc nhỏ hơn -5V hoặc -10V đối với P-chanel mosfet. Lưu ý, giá trị Rds(on) này thường tăng theo nhiệt độ làm việc của mosfet, hiệu ứng nhiệt trở dương này cho phép mắc song song nhiều mosfet để giảm Rds(on) và cân bằng dòng giữa các mosfet. Không giống như IGBT, việc ghép song song khó hơn, phải chọn loại có hỗ trợ.
Qg là đại lượng điện dung mà mạch lái driver cần phải nạp cho mosfet để mở hoàn toàn, bạn chú ý Qg này thay đổi theo điện áp lái. Nếu con mosfet có thể mở bão hòa ở 5V, mà bạn dùng điện áp lái là 15V thì không được lợi gì. Thậm chí làm nóng driver, tăng tổn hao không tải vì khi đó năng lượng để lái con mosfet sơ bộ tăng lên 03 lần. Nếu Driver không đủ dòng lái thì thời gian on/off hay rise/fall time của mosfet sẽ tăng lên và làm cho tăng tổn hao đóng cắt - switching. Công thức sơ bộ là: I = Q*t. trong đó I là dòng lái max của driver, Q là total gate charge, t là thời gian rise/fall. Đối với các dòng mosfet mới có Qg ngày càng nhỏ hơn các thế hệ cũ khi có cùng điện áp và dòng làm việc. Điều này cho phép mosfet đóng cắt với tần số nhanh hơn, giảm tổn hao đóng cắt. Nhưng cái gì cũng có cái lợi và cái hại của nó. Đồng nghĩa với việc chuyển mạch nhanh, một số vượt quá giới hạn di/dt tốc độ tăng trưởng dòng hoặc dv/dt tốc độ tăng trưởng áp dẫn tới mosfet bị nổ. Cái này không phải do nóng quá mà nổ đâu. Ngoài ra, khi đóng cắt quá nhanh dẫn tới khi phân tích FFT mạch hard switching PWM thì sóng hài bậc cao có biên độ lớn hơn. Khi đó cần trang bị thêm các mạch lọc filter đầu vào và đầu ra. Cái này hay nhìn thấy nhất ở các module nguồn mật độ công suất cao hiện nay. Vì thế, dug Qg nhỏ thì cái quan trọng là thiết kế cho phép rise/fall time là bao nhiêu để tính RG điện trở cực lái. Nếu Qg lớn thì Rg có thể nhỏ đi, Qg nhỏ thì Rg lại lớn. Do đó khi thiết kế việc chọn lựa mosfet phù hợp về mặt kĩ thuật và giá thành cũng không phải dễ.
Ciss là tụ kí sinh cho đầu vào, cái này trong các datasheet mosfet đều giải thích hết rồi. Tiếng Anh nhé. Khi bạn tính toán trên Qg rồi thì không cần quan tâm cái này cho lắm. Chỉ khi bạn làm với các mạch đóng cắt tần số cao, nguồn cộng hưởng thôi.
Một điều quan trọng nữa là khi chọn mosfet cho các mạch hard switching thì nên chọn Crss nhỏ thôi. Giá trị này tương đương với tụ điện song song giữa cực D và cực S. khi đóng cắt tụ này sẽ phóng nạp qua Rson của mosfet làm nóng fet và tăng tổn hao. Trái ngược đối với một số mạch cộng hưởng, thì người ta còn mắc thêm tụ Crss ngoài để đạt giá trị cần thiết cho mạch cộng hưởng hoạt động và đạt ZVS/ZCS.

Vì vậy chọn lớn hay nhỏ các giá trị trên còn phải xác định thêm điều kiện làm việc khác như tần số switching, hard switching hay soft switching, ...

bài viết khá bao quát, có nhiều gợi ý, tuy vậy có một điểm hình như chưa chính xác: đó là tụ Crss.. cái này là tụ Cgd, tức tụ nạp ngược cổng gate và cổng D. cũng ảnh hưởng đến tổn hao của mosfet khi chuyển mạch cứng. nhưng cái mà tổn hao nhiều nhất là tụ Cds, tổn hao chuyển mạch được tính bằng tụ Coss ( Cross)=Crss(Cgd)+Cds. các phương trình tính tổn hao chuyển mạch cứng thì người ta dựa vào tụ Coss.

[trthnguyen]

Vậy là con này chỉ chạy liên tục được 16,6A! Có gì sai sai nhỉ! Hình như bạn đang tính chạy fet không tản nhiệt thì phải! Nếu chạy đóng ngắt dòng đạt được còn nhỏ hơn tầm 5-10A thôi nhỉ! Mà ai lại chạy mà không tản nhiệt?

Phản biện chơi thôi mà bạn, đúng là tính toán khi không tản nhiệt Thực tế có những mạch yêu cầu nhỏ gọn thì cũng không dùng được tản nhiệt mà

[huynhmyngan]

Mình thấy bạn chỉ nói đùa thôi mà, phản biện làm gì
Tuy nhiên cũng nên phản biện cho người khác biết chứ nhỉ
Với IRF3205 thì I = 110A ứng với 25 độ C, mà bây giờ ở HN đã 40 độ CMNR, chưa kể khi hoạt động nó còn nóng thêm, vậy phải tính theo I = 80A ứng với 100 độ -> P = 55V*80A = 4400W thôi
Tiếp theo, fet này có thể hoạt động ở 175 độ, trừ đi nhiệt độ môi trường là 40 thì độ tăng nhiệt cho phép là 175 - 40 = 135 độ, nhưng độ tăng nhiệt độ theo công suất tiêu tán trên fet có thể lên đến 62 độ/W (Junction-to-Ambient) -> công suất tiêu tán cho phép là 135/62 = 2.2W. Fet này có Rdson = 8 mOhm = 0.008 ohm -> dòng cho phép là I = sqrt(2.2/0.008) = 16.6A -> P = 55*16.6 = 913W Nhưng nhớ là ta đang để cho fet chạy ở 175 độ C nhé
QUAN TRỌNG NHẤT là mọi tính toán ở trên chỉ áp dụng khi fet không đóng ngắt thường xuyên (dùng thay công tắc cơ chẳng hạn), còn trong ứng dụng đóng ngắt tạo xung thì nhiệt chủ yếu sinh ra do sườn xung không thẳng đứng làm fet chạy ở chế độ tuyến tính trong khoảng này -> Rds lớn -> phát nhiệt nhiều -> I thực tế nhỏ hơn rất nhiều so với bên trên -> công suất ra thấp.

Vậy là con này chỉ chạy liên tục được 16,6A! Có gì sai sai nhỉ! Hình như bạn đang tính chạy fet không tản nhiệt thì phải! Nếu chạy đóng ngắt dòng đạt được còn nhỏ hơn tầm 5-10A thôi nhỉ! Mà ai lại chạy mà không tản nhiệt?

[trthnguyen]

Phản biện đi bạn ơi! Lý thuyết nó thế mà???

Mình thấy bạn chỉ nói đùa thôi mà, phản biện làm gì
Tuy nhiên cũng nên phản biện cho người khác biết chứ nhỉ
Với IRF3205 thì I = 110A ứng với 25 độ C, mà bây giờ ở HN đã 40 độ CMNR, chưa kể khi hoạt động nó còn nóng thêm, vậy phải tính theo I = 80A ứng với 100 độ -> P = 55V*80A = 4400W thôi
Tiếp theo, fet này có thể hoạt động ở 175 độ, trừ đi nhiệt độ môi trường là 40 thì độ tăng nhiệt cho phép là 175 - 40 = 135 độ, nhưng độ tăng nhiệt độ theo công suất tiêu tán trên fet có thể lên đến 62 độ/W (Junction-to-Ambient) -> công suất tiêu tán cho phép là 135/62 = 2.2W. Fet này có Rdson = 8 mOhm = 0.008 ohm -> dòng cho phép là I = sqrt(2.2/0.008) = 16.6A -> P = 55*16.6 = 913W Nhưng nhớ là ta đang để cho fet chạy ở 175 độ C nhé
QUAN TRỌNG NHẤT là mọi tính toán ở trên chỉ áp dụng khi fet không đóng ngắt thường xuyên (dùng thay công tắc cơ chẳng hạn), còn trong ứng dụng đóng ngắt tạo xung thì nhiệt chủ yếu sinh ra do sườn xung không thẳng đứng làm fet chạy ở chế độ tuyến tính trong khoảng này -> Rds lớn -> phát nhiệt nhiều -> I thực tế nhỏ hơn rất nhiều so với bên trên -> công suất ra thấp.

[huynhmyngan]

Sai nhé! Mấy con đó trên 20k. Còn mình dưới 10k

Mấy con đó mình từng mua hàng dỏm rồi!

[huynhmyngan]

:d :d :d :d :d :d :d :d :d :d :d

Phản biện đi bạn ơi! Lý thuyết nó thế mà???

[huynhmyngan]

HY4008, RU190N08 ... đều có hàng cũ rẻ bèo. 190 - 200A, 80V chắc thường dùng cho kích điện hệ 12V.

Sai nhé! Mấy con đó trên 20k. Còn mình dưới 10k

[trthnguyen]

bình loạn tý về mosfet:
Thông số của mosfet cần lưu tâm:
- dòng chịu đựng: Cái này không quan trọng lắm nó là dòng fet chịu tối đa, trên thực tế chỉ nên chạy tầm 1/3-1/2 dòng thông số chứ đừng đòi 80-90% thông số! Bùm là chắc! Tôi chạy 3205 được 70-80% trong 3-4 giây là thấy mình may mắn lắm rồi! Cần cao nhân chỉ điểm thêm
- tần số lái tối đa, cái này cũng chả cần quan tâm nếu bạn thuộc trường phái điện công suất! Bạn không nên lái quá nhanh, khi đó được sẽ ít mà mất khá nhiều đấy.
- áp chịu đựng: Nó là giới hạn đánh thủng của mosfet, đơn giản!
- áp mở fet: Tùy loại fet và công dụng có thể áp mở hoàn toàn rất nhỏ từ 2-3v được dùng trong thuốc lá điện tử, thông thường là 6-8v sẽ mở hoàn toàn. đó là lý do thường không dùng nguồn dưới 10v để lái fet. Không dùng vi điều khiển 5v để lái fet
- nội trở: Cái này quan trọng gần như nhất! Nó thể hiện khi đóng hoàn toàn nội trở là bao nhiêu, thông thường áp chịu càng cao nội trở càng lớn, đối với các loại inverter 12v thì có thể xài những mosfet có nội trở tầm 0.002hom!
- năng lượng cần thiết để kích mở fet: Cái này cực quang trọng nhưng chúng ta ít để ý! Nó chính là năng lượng để kích mở hoàn toàn fet, đo bằng nc. Nc càng nhỏ ta càng có thể kích dẫn fet nhanh chóng! Nó kết hợp với thông số ton và toff tạo nên chất lượng của fet! Trên thực tế kinh nghiệm của tôi thì dù có lái fet đẹp đến thế nào thì khoản hơn 80% nhiệt tỏa ra là do lúc fet đang mở hoặc ngắt, bạn có thể thử bằng việc dùng 1 con fet để dẫn dòng liên tục cho 4 con fet kéo push-pull, 4 con fet đóng mở sẽ nóng hơn 1 con dẫn liên tục! Tôi thấy các đời fet sau này nó không đua nhau về dòng chịu đựng, về áp chịu đựng, về áp kích mở fet, về tần số tối đa nhưng giờ đến thế hệ fet thứ 4-5 thì đua nhau về cái nc càng nhỏ càng tốt! đua về độ dốc từ khi áp bắt đầu kích mở đến khi áp dẫn hoàn toàn càng dốc càng ngắn càng tốt! => đua hiệu suất!

Có một điều khá lạ là nói đến công suất tối đa của 1 fet ta lại hay lấy cái thông số nhiệt tiêu tán (dissipation) làm công suất của fet (tôi tìm trên google thì gần như chả thấy ai nói đến vấn đề đó! Tìm tiếng việt, mù ngoại ngữ mà, đến cả mấy bác nhật tảo tôi hỏi cũng chỉ nói đơn giản con fet này công suất 200-300w....)! Ví như 3205 là 300w, rồi nhân fet trong mạch để tính công suất máy! Nguồn xung chứ đâu máy sưởi! Phải tính vậy mới đúng nhé các anh chị p=u*i
vd irf3205 là 55v * 110a = 6050w (heheheheheh!)
câu đố vui : Con fet tôi thích nhất hiện nay là con có dòng chịu 200a nội trở 2miliohm 200nc. Giá hàng tháo máy (nhà nghèo nên chỉ xài hàng tháo máy) thì cực rẻ, không có hàng giả hàng dỏm (vì quá rẻ)! Dùng cho inverter hệ 12v là nhất! đố bạn là con gì???

:d :d :d :d :d :d :d :d :d :d :d

[bqviet]

HY4008, RU190N08 ... đều có hàng cũ rẻ bèo. 190 - 200A, 80V chắc thường dùng cho kích điện hệ 12V.

[huynhmyngan]

Bình loạn tý về mosfet:
Thông số của mosfet cần lưu tâm:
- Dòng chịu đựng: cái này không quan trọng lắm nó là dòng fet chịu tối đa, trên thực tế chỉ nên chạy tầm 1/3-1/2 dòng thông số chứ đừng đòi 80-90% thông số! Bùm là chắc! tôi chạy 3205 được 70-80% trong 3-4 giây là thấy mình may mắn lắm rồi! cần cao nhân chỉ điểm thêm
- Tần số lái tối đa, cái này cũng chả cần quan tâm nếu bạn thuộc trường phái điện công suất! bạn không nên lái quá nhanh, khi đó được sẽ ít mà mất khá nhiều đấy.
- Áp chịu đựng: nó là giới hạn đánh thủng của mosfet, đơn giản!
- Áp mở fet: tùy loại fet và công dụng có thể áp mở hoàn toàn rất nhỏ từ 2-3v được dùng trong thuốc lá điện tử, thông thường là 6-8V sẽ mở hoàn toàn. đó là lý do thường không dùng nguồn dưới 10V để lái fet. không dùng vi điều khiển 5v để lái fet
- Nội trở: cái này quan trọng gần như nhất! nó thể hiện khi đóng hoàn toàn nội trở là bao nhiêu, thông thường áp chịu càng cao nội trở càng lớn, đối với các loại inverter 12V thì có thể xài những mosfet có nội trở tầm 0.002hom!
- Năng lượng cần thiết để kích mở fet: cái này cực quang trọng nhưng chúng ta ít để ý! nó chính là năng lượng để kích mở hoàn toàn fet, đo bằng nC. nC càng nhỏ ta càng có thể kích dẫn fet nhanh chóng! nó kết hợp với thông số Ton và Toff tạo nên chất lượng của FET! trên thực tế kinh nghiệm của tôi thì dù có lái fet đẹp đến thế nào thì khoản hơn 80% nhiệt tỏa ra là do lúc fet đang mở hoặc ngắt, bạn có thể thử bằng việc dùng 1 con fet để dẫn dòng liên tục cho 4 con fet kéo push-pull, 4 con fet đóng mở sẽ nóng hơn 1 con dẫn liên tục! Tôi thấy các đời fet sau này nó không đua nhau về dòng chịu đựng, về áp chịu đựng, về áp kích mở fet, về tần số tối đa nhưng giờ đến thế hệ fet thứ 4-5 thì đua nhau về cái nC càng nhỏ càng tốt! đua về độ dốc từ khi áp bắt đầu kích mở đến khi áp dẫn hoàn toàn càng dốc càng ngắn càng tốt! => đua hiệu suất!

Có một điều khá lạ là nói đến công suất tối đa của 1 fet ta lại hay lấy cái thông số nhiệt tiêu tán (dissipation) làm công suất của fet (tôi tìm trên google thì gần như chả thấy ai nói đến vấn đề đó! tìm tiếng việt, mù ngoại ngữ mà, đến cả mấy bác nhật tảo tôi hỏi cũng chỉ nói đơn giản con fet này công suất 200-300W....)! ví như 3205 là 300W, rồi nhân fet trong mạch để tính công suất máy! nguồn xung chứ đâu máy sưởi! phải tính vậy mới đúng nhé các anh chị P=U*I
VD IRF3205 là 55V * 110A = 6050W (HEHEHEheheh!)
Câu đố vui : con fet tôi thích nhất hiện nay là con có dòng chịu 200A nội trở 2miliohm 200nC. Giá hàng tháo máy (nhà nghèo nên chỉ xài hàng tháo máy) thì cực rẻ, không có hàng giả hàng dỏm (vì quá rẻ)! dùng cho inverter hệ 12v là nhất! đố bạn là con gì???

[trthnguyen]

không hiểu sao mình lắp đúng theo hướng dã mà khi cấp nguồn thì con mospet nó nóng kinh khunge mấy bác xem dùm với ạ

Mosfet ít tỏa nhiệt nhất khi nó không dẫn hoặc dẫn bão hòa vì khi dẫn bão hòa thì Rds-on (điện trở giữa D và S) rất nhỏ, chỉ cỡ vài đến vài chục miliohm (tùy loại) -> công suất toả nhiệt Q = I*I*Rds-on cũng rất nhỏ. Để đạt được 2 trạng thái này thì xung đưa vào chân G phải là xung vuông (có điện áp phù hợp)
Tuy nhiên cái mạch của bạn tự tạo xung nên xung nó có dạng sin hay dạng gì đó mà không phải xung vuông nên mosfet sẽ dẫn kiểu tuyến tính, khi đó Rds lớn nên công suất tỏa nhiệt lớn.

[Hoainam78]

không hiểu sao mình lắp đúng theo hướng dã mà khi cấp nguồn thì con mospet nó nóng kinh khunge mấy bác xem dùm với ạ