Thông báo

Collapse
No announcement yet.

IGBT,MOSFET, hiểu biết và các mạch ứng dụng.

Collapse
This is a sticky topic.
X
X
  • Lọc
  • Giờ
  • Show
Clear All
new posts

  • Cảm ơn bạn bqviet nhiều, để tối về làm thử. À mà không biết trong đống bùi nhùi ở nhà có tồn tại mấy con này ko đã chứ, không có lại bò ra Nhật tảo nữa
    Không biết ngày mai sẽ ra sao?
    Mà có ra sao cũng chẳng sao.

    Comment


    • ra nhật tảo mua luôn cái bo, khỏi lắp mất công
      LÕI LỌC INVERTER PURE SINE 0169.339.3635.

      Comment


      • Các bác cho em hỏi các thông số Rds(on), Qg(total gate charge), Ciss của mosfet có ý nghĩa gì vậy nếu các giá trị này lớn thì sao mà nhỏ thì ntn ạ. Cám ơn các bác.

        Comment


        • Nguyên văn bởi nhanktdk35 Xem bài viết
          Các bác cho em hỏi các thông số Rds(on), Qg(total gate charge), Ciss của mosfet có ý nghĩa gì vậy nếu các giá trị này lớn thì sao mà nhỏ thì ntn ạ. Cám ơn các bác.
          Rds(on) là điện trở của FET khi kích cho vào chân G điện áp để FET dẫn bão hòa. Tùy thuộc mỗi loại có thể từ 3 đến 10V
          Qg : là điện lượng để nạp các tụ ký sinh giữa các lơp bán dẫn Cgd, Cgs, Cds. FET càng mạnh thì Qg càng lớn, cần driver càng mạnh, để nhanh đạt trạng thái bão hòa, nếu ko FET sẽ nóng nổ.
          Ciss. như nói ở trên là tụ điện kỹ sinh.
          Muốn hiểu thêm bạn có thể đọc về điện tử bán dẫn. ngoài C còn có L nhưng ko đáng kể.

          Comment


          • Nguyên văn bởi nhanktdk35 Xem bài viết
            Các bác cho em hỏi các thông số Rds(on), Qg(total gate charge), Ciss của mosfet có ý nghĩa gì vậy nếu các giá trị này lớn thì sao mà nhỏ thì ntn ạ. Cám ơn các bác.
            Rds(on) là điện trở giữa cực D và cực S khi mosfet ON (dẫn/mở hoàn toàn). Đó là khi điện áp giữa cực G và S của mosfet lớn hơn 5V hoặc 10V đối với N-chanel mosfet, hoặc nhỏ hơn -5V hoặc -10V đối với P-chanel mosfet. Lưu ý, giá trị Rds(on) này thường tăng theo nhiệt độ làm việc của mosfet, hiệu ứng nhiệt trở dương này cho phép mắc song song nhiều mosfet để giảm Rds(on) và cân bằng dòng giữa các mosfet. Không giống như IGBT, việc ghép song song khó hơn, phải chọn loại có hỗ trợ.
            Qg là đại lượng điện dung mà mạch lái driver cần phải nạp cho mosfet để mở hoàn toàn, bạn chú ý Qg này thay đổi theo điện áp lái. Nếu con mosfet có thể mở bão hòa ở 5V, mà bạn dùng điện áp lái là 15V thì không được lợi gì. Thậm chí làm nóng driver, tăng tổn hao không tải vì khi đó năng lượng để lái con mosfet sơ bộ tăng lên 03 lần. Nếu Driver không đủ dòng lái thì thời gian on/off hay rise/fall time của mosfet sẽ tăng lên và làm cho tăng tổn hao đóng cắt - switching. Công thức sơ bộ là: I = Q*t. trong đó I là dòng lái max của driver, Q là total gate charge, t là thời gian rise/fall. Đối với các dòng mosfet mới có Qg ngày càng nhỏ hơn các thế hệ cũ khi có cùng điện áp và dòng làm việc. Điều này cho phép mosfet đóng cắt với tần số nhanh hơn, giảm tổn hao đóng cắt. Nhưng cái gì cũng có cái lợi và cái hại của nó. Đồng nghĩa với việc chuyển mạch nhanh, một số vượt quá giới hạn di/dt tốc độ tăng trưởng dòng hoặc dv/dt tốc độ tăng trưởng áp dẫn tới mosfet bị nổ. Cái này không phải do nóng quá mà nổ đâu. Ngoài ra, khi đóng cắt quá nhanh dẫn tới khi phân tích FFT mạch hard switching PWM thì sóng hài bậc cao có biên độ lớn hơn. Khi đó cần trang bị thêm các mạch lọc filter đầu vào và đầu ra. Cái này hay nhìn thấy nhất ở các module nguồn mật độ công suất cao hiện nay. Vì thế, dug Qg nhỏ thì cái quan trọng là thiết kế cho phép rise/fall time là bao nhiêu để tính RG điện trở cực lái. Nếu Qg lớn thì Rg có thể nhỏ đi, Qg nhỏ thì Rg lại lớn. Do đó khi thiết kế việc chọn lựa mosfet phù hợp về mặt kĩ thuật và giá thành cũng không phải dễ.
            Ciss là tụ kí sinh cho đầu vào, cái này trong các datasheet mosfet đều giải thích hết rồi. Tiếng Anh nhé. Khi bạn tính toán trên Qg rồi thì không cần quan tâm cái này cho lắm. Chỉ khi bạn làm với các mạch đóng cắt tần số cao, nguồn cộng hưởng thôi.
            Một điều quan trọng nữa là khi chọn mosfet cho các mạch hard switching thì nên chọn Crss nhỏ thôi. Giá trị này tương đương với tụ điện song song giữa cực D và cực S. khi đóng cắt tụ này sẽ phóng nạp qua Rson của mosfet làm nóng fet và tăng tổn hao. Trái ngược đối với một số mạch cộng hưởng, thì người ta còn mắc thêm tụ Crss ngoài để đạt giá trị cần thiết cho mạch cộng hưởng hoạt động và đạt ZVS/ZCS.

            Vì vậy chọn lớn hay nhỏ các giá trị trên còn phải xác định thêm điều kiện làm việc khác như tần số switching, hard switching hay soft switching, ...
            Đam mê là sức mạnh vượt qua tất cả, mỗi ngày ...

            Comment


            • IGBT thường dùng trong các mạch cầu H Inverter, mạch nguồn xung , PFC

              Comment


              • Các cụ cho hỏi thay IGBT bằng Mosfet đc ko nhi? định thay con STGP19NC60KD bằng con IRF 3205 đc ko nhỉ? ( mạch kích điện)

                Comment


                • Nguyên văn bởi thangnguyenc Xem bài viết
                  Các cụ cho hỏi thay IGBT bằng Mosfet đc ko nhi? định thay con STGP19NC60KD bằng con IRF 3205 đc ko nhỉ? ( mạch kích điện)
                  Chúng khác xa nhau một trời một vực, cả bản chất lẫn thông số
                  STGP19NC60KD : 20A 600V
                  IRF3205 : 110A 55V
                  Phần mềm tự do hoặc không dùng máy tính nữa !.

                  Comment


                  • chọn con FET có thông số ngang ngửa đc ko nhi? con IGBT này hơi bị khó kiếm

                    Comment


                    • không hiểu sao mình lắp đúng theo hướng dã mà khi cấp nguồn thì con mospet nó nóng kinh khunge mấy bác xem dùm với ạ

                      Comment


                      • Nguyên văn bởi Hoainam78 Xem bài viết
                        không hiểu sao mình lắp đúng theo hướng dã mà khi cấp nguồn thì con mospet nó nóng kinh khunge mấy bác xem dùm với ạ
                        Mosfet ít tỏa nhiệt nhất khi nó không dẫn hoặc dẫn bão hòa vì khi dẫn bão hòa thì Rds-on (điện trở giữa D và S) rất nhỏ, chỉ cỡ vài đến vài chục miliohm (tùy loại) -> công suất toả nhiệt Q = I*I*Rds-on cũng rất nhỏ. Để đạt được 2 trạng thái này thì xung đưa vào chân G phải là xung vuông (có điện áp phù hợp)
                        Tuy nhiên cái mạch của bạn tự tạo xung nên xung nó có dạng sin hay dạng gì đó mà không phải xung vuông nên mosfet sẽ dẫn kiểu tuyến tính, khi đó Rds lớn nên công suất tỏa nhiệt lớn.

                        Comment

                        Về tác giả

                        Collapse

                        thaithutrang Tìm hiểu thêm về thaithutrang

                        Bài viết mới nhất

                        Collapse

                        Đang tải...
                        X