Thông báo

Collapse
No announcement yet.

Vị trí cuộn cảm so với MOSFET

Collapse
X
 
  • Lọc
  • Giờ
  • Show
Clear All
new posts

  • Vị trí cuộn cảm so với MOSFET

    Mọi người cho mình hỏi tại sao trong mạch nguồn FLYBACK cuộn cảm mắc phía trên van MOSFET( Nối vào chân D)
    mà không mắc phía dưới ( Nối vào chân S)

    Click image for larger version

Name:	800px-Flyback_conventions.svg.png
Views:	1
Size:	22.1 KB
ID:	1413537
    Thanks.

  • #2
    Bởi vì nếu đấu ở trên như hình vẽ thì sẽ dùng N MOSFET, còn nếu đấu ở dưới phải dùng P MOSFET. Cùng một công nghệ chế tạo, giá thành tương đương bao giờ N MOSFET cũng có dòng lớn hơn và nội trở nhỏ hơn so với P MOSFET => tổn hao ít hơn, hiệu quả hơn.
    Phần mềm tự do hoặc không dùng máy tính nữa !.

    Comment


    • #3
      Nguyên văn bởi bqviet Xem bài viết
      Bởi vì nếu đấu ở trên như hình vẽ thì sẽ dùng N MOSFET, còn nếu đấu ở dưới phải dùng P MOSFET. Cùng một công nghệ chế tạo, giá thành tương đương bao giờ N MOSFET cũng có dòng lớn hơn và nội trở nhỏ hơn so với P MOSFET => tổn hao ít hơn, hiệu quả hơn.
      Ku em đã tự nhận là ngố về công suất thì trật tự đi, sao lại phán bừa thía?

      Ai bảo nguồn Flyback không đấu sơ cấp vào cực S (source)? Thử ngó con LNK500 mà xem!

      Còn đấu sơ cấp với cực D, đơn giản là mạch nguồn cần nhiều sự so sánh (comparator), mà các mạch so sánh có chung mass sẽ dễ thiết kế hơn.
      Đêm nay tớ không ngủ - ngày mai tớ ngủ bù

      Comment


      • #4
        Thêm nữa đấu cuộn cảm hay bất kỳ tải gì vào S đêu khó kích bão hòa hơn là lắp tải vào D.
        Mà trong các mạch chế độ On/Off mà không bão hòa thì có khói là rất dễ dàng.

        Comment


        • #5
          Nguyên văn bởi bqviet Xem bài viết
          Bởi vì nếu đấu ở trên như hình vẽ thì sẽ dùng N MOSFET, còn nếu đấu ở dưới phải dùng P MOSFET. Cùng một công nghệ chế tạo, giá thành tương đương bao giờ N MOSFET cũng có dòng lớn hơn và nội trở nhỏ hơn so với P MOSFET => tổn hao ít hơn, hiệu quả hơn.
          Cái đoạn mầu đỏ có phải ý của anh là nếu để cuộn cảm phía dưới MOSFET kênh N ( sơ cấp nối S) thì điện thế chân S lúc là 0V lúc là +E (V) ( Giả sử nguồn E(V) chân âm nối đất ) dẫn đến việc tạo điện áp điều khiển Ugs khó khăn đo đó ta cần dụng MOSFET kênh P (điện áp điều khiển so sánh với nguồn) không ạ?

          Comment


          • #6
            Nguyên văn bởi nhathung1101 Xem bài viết
            Ku em đã tự nhận là ngố về công suất thì trật tự đi, sao lại phán bừa thía?

            Ai bảo nguồn Flyback không đấu sơ cấp vào cực S (source)? Thử ngó con LNK500 mà xem!

            Còn đấu sơ cấp với cực D, đơn giản là mạch nguồn cần nhiều sự so sánh (comparator), mà các mạch so sánh có chung mass sẽ dễ thiết kế hơn.
            Em thấy bqviet nói đúng mà(Nếu như ý trả lời của em ở trên là đúng . Mạch nguồn ( Chữ màu đỏ) có phải bác muốn nói là mạch điều khiển tạo nguồn Ugs,Ugd không?

            Comment


            • #7
              Nguyên văn bởi duong_act Xem bài viết
              Thêm nữa đấu cuộn cảm hay bất kỳ tải gì vào S đêu khó kích bão hòa hơn là lắp tải vào D.
              Mà trong các mạch chế độ On/Off mà không bão hòa thì có khói là rất dễ dàng.
              Bắc giải thích cho em tại sao khi nối tải vào S thì khó kích bão hòa hơn là lắp tải vào D và trong các mạch chế độ On/Off mà không bão hòa thì có khói là rất dễ dàng. Em nghĩ nhưng không hiểu được.

              Comment


              • #8
                Nguyên văn bởi forever074 Xem bài viết
                Bắc giải thích cho em tại sao khi nối tải vào S thì khó kích bão hòa hơn là lắp tải vào D và trong các mạch chế độ On/Off mà không bão hòa thì có khói là rất dễ dàng. Em nghĩ nhưng không hiểu được.
                Điều kiện để MOSFET bão hoà là Vgs > Vbh > 0 với Fet N. ( Fet P thì ngược lại ). Như vậy thấy được để kích Fet bão hoà khi tải ở S là phải tạo áp kích > Vcc + Vbh.
                Ví dụ nguồn có điện áp 300V thì phải tạo áp kích khoảng 310V ( Fet N ) nếu tải mắc tại S. Còn nếu tải mắc tại D thì chỉ cần áp kích > 10V. Dễ thấy driver để tạo áp 10V luôn đơn giản và an toàn hơn tạo áp 310V.
                Còn việc có khói :
                Công suất nhiệt trên Fet tính theo công thức P = I2.Rdson.
                Biểu thức P có giá trị nhỏ nhất khi I hoặc Rdson có giá trị nhỏ nhất tương ứng với 2 trạng thái On-Off. Nếu không bão hòa thì biểu thức P mang giá trị lớn làm cháy MosFet.
                Đây là trường hợp nhiều bạn kích Fet của cầu G với áp GS của 2 con trên = Vcc nên hai Fet trên không bão hòa được và có hiện tượng nóng 2 Fet phía trên.

                Comment


                • #9
                  Không sợ vợ phân tích cực kỳ chính xác, nhưng không chuẩn.

                  Cái ký hiệu Vbh là cái gì vậy? Nếu là "V bảo hành" thì không nói.

                  Nếu là "V bão hòa" (saturation) thì nhầm to. Cái điện áp bão hòa là người ta nói về điện áp rơi trên transistor sau khi bão hòa, không phải điện áp kích mở.

                  Nên sửa lại là Vg-s(min).

                  Còn nói về mắc tải ở cực S thì "khó" thiết kế hơn thật, nhưng có lợi ích cực lớn là độ ổn định nhiệt cao.
                  Đêm nay tớ không ngủ - ngày mai tớ ngủ bù

                  Comment


                  • #10
                    Cảm ơn các bác. Bây giờ thì em đã hiểu. Các bác có tài liệu gì hay về điện tử công suất có thể giới thiệu cho e tên một vài tài liệu hay được không? (Giới thiệu qua cho em nội dung)

                    Comment

                    Về tác giả

                    Collapse

                    forever074 Tìm hiểu thêm về forever074

                    Bài viết mới nhất

                    Collapse

                    Đang tải...
                    X