IGBT,MOSFET, hiểu biết và các mạch ứng dụng.

[kami90]

Em hỏi ngu tí.
Con tụ boostrap trong cong thức tính không thấy có tháy giới hạn trên.Mình chọn to thì lúc nạp sẽ chậm và lúc phóng cũng châm thì có ảnh hưởng gì không ạ.
Ai có thể giải thích cho e rõ nguyên lý trong lúc nó phóng nạp như thế nào không ạ.Có hình vẽ thể hiện điện áp trên G lúc nó phóng thì tốt quá ạ.

[superhieu1]

thật ra tụ boostrap này tôi thấy no chỉ có tác dụng tạo điện áp giả để kích FET, dạng sóng phẳng là được, hiện tại tôi nghĩ càng to càng tốt

[kami90]

em tưởng là lúc con tụ nó phóng là điện áp nó giảm dần theo hàm e mũ thế thì làm sao mà nó duy trì đựoc Vgs trên van High side đươc ạ ?

[superhieu1]

coi tài liệu tối qua tới giờ, tôi có thể giải thích cho bạn như sau:



nhìn theo hình này, bạn sẽ thấy 1 con R, Fast diode, tụ boostrap:


ở chế độ cầu H(ở đây ta xét nữa cây cầu) thì khi Q dưới dẫn, tụ boostrap được nao qua R, diode, khi Q dưới tắt, thì áp ngay chỗ Vs sẽ không còn = gnd nữa, nhưng nó vẫn chưa trồi lên tới VDC+ vì chưa nó chưa dẫn. nếu không có tụ, Q trên được kích, áp chân E cua Q trên tiến dần về DC+ làm Vs tăng theo, nhưng lại làm giảm áp Vge, làm rơi vào vùng khuyếch đại, làm hỏng Q trên, nhờ co tụ boostrap, lúc này V- của tụ = Vs, bán kỳ trước tụ đã được nạp, bán kỳ này vẫn còn, lúc này Vs tăng gần đến DC+ như vậy làm Vb tăng lên vượt quá Vcc, lúc này fast diode phát hut tác dụng, không cho tụ xả ngược về, như vậy Vb tăng lên đủ sức để mosfet nội bên trong IC driver dẫn áp từ Vb xuất ra để kích Q trên dẫn bão hoà ==> tốt. chức năng của điện trở dùng để hạn dòng bảo vệ diode, tụ boostrap và bảo vệ mosfet bên trong IC driver, do tần số nạp xả rất cao nên dòng qua tụ kí sinh trong Q rất lớn, làm hỏng IC.

bạn xem cấu trúc con ir2148 sẽ thấy:





xem thêm: http://www.dientuvietnam.net/forums/...75/#post672241

[superhieu1]

à, bổ sung thêm công thức tính tụ boostrap: đây la công thức tính dư sài cho các loại khoá.

ta lấy vi du con 2114 để đóng cắt irf3205:

QBSmin = (Qls + Iqbs.tHon) + 2Qg

tHon: băng chu kỳ đóng cắt, 1/f.
Qls: = 20 nC (trong datasheet 2114)
Iqsb: = 800 μA (datasheet IR2214);
Qg: Total Gate Charge ––– ––– 146 nC, điều kiện test là: ID = 62A, VDS = 44V, VGS = 10V.

==> tinh đc QBSmin

ta có

ΔVBS = VCC – VF – Vmin – VCE(on)

VCC: của nguồn
VF: rơi trên diode
Vmin
đối với FET thì VCE gần như =0; transistor thì xem datasheet.

====> CBSmin=2QBSmin/ΔVBS

trong thực tế CBS thực = 15CBSmin.
CBS nên dùng tụ Tanlalum hoặc mắc song song nhiều tụ gốm.

trong thực tế còn phải tính Zl cho dây mạch in với dây 25mil thì 2nH/1cm ở tần số 10KHz, phần này cộng thêm vào ngay chỗ R trong hình 1. Zl=L.ô-mê-ga

đi ăn cơn cái, đói run rồi

[kami90]

tks a.Nhưng cái e muốn thắc mắc là khi van high dẫn con tụ nó xả ra,mà đặc tính xả của con tụ thì U ở tụ giảm theo hàm e mũ ý ạ.Như vậy đáng ra điện áp trên cực G cũng có hình dạng như thế chứ sao lại bằng phẳng được ạ

[superhieu1]

à, đúng là nó xả, nhưng mình chọn gấp 15 lần, thì làm sao nỏ xả hết được mà giảm áp? áp chỉnh nhích nhô khoản vài mV thôi, nhớ điện dung khi tính, ta đã co tính tới tần số, nên nó ràng buộc lẫn nhau, áp Vb so với GND thì sóng "vuông" có độ lớn thay đổi từ 0V đến 2VD+, còn thằng VB so với VS luôn là Vd+ phẳng, nhưng áp Vgs high lại có dạng vuông có độ lớn 0V đến 2VD+

[vanthang2206]

các bác pro cho e hỏi mình dùng nguồn 24v cấp vào chân số 4 được không mà tra dấtheet nó thì kêu có 12v thôi....mong các bak chỉ giúp e cái

[nh_2811]

à, đúng là nó xả, nhưng mình chọn gấp 15 lần, thì làm sao nỏ xả hết được mà giảm áp? áp chỉnh nhích nhô khoản vài mV thôi, nhớ điện dung khi tính, ta đã co tính tới tần số, nên nó ràng buộc lẫn nhau, áp Vb so với GND thì sóng "vuông" có độ lớn thay đổi từ 0V đến 2VD+, còn thằng VB so với VS luôn là Vd+ phẳng, nhưng áp Vgs high lại có dạng vuông có độ lớn 0V đến 2VD+

các b cho hỏi con igbt có diode tích hợp bên trong luôn ko?

[nh_2811]

à, đúng là nó xả, nhưng mình chọn gấp 15 lần, thì làm sao nỏ xả hết được mà giảm áp? áp chỉnh nhích nhô khoản vài mV thôi, nhớ điện dung khi tính, ta đã co tính tới tần số, nên nó ràng buộc lẫn nhau, áp Vb so với GND thì sóng "vuông" có độ lớn thay đổi từ 0V đến 2VD+, còn thằng VB so với VS luôn là Vd+ phẳng, nhưng áp Vgs high lại có dạng vuông có độ lớn 0V đến 2VD+

các b cho hỏi con igbt có diode tích hợp bên trong luôn ko? chẳng hạn con sgw25n120

[canhmayhan]

dùng IGBT chỉ cho sản phẩm gọn nhẹ, chứ thực ra IGBT ko tốt bằng dùng mos đâu, bác nào biết đến cái máy hàn điện tử(máy hàn inventer) thì biết.

[quocbinhtoit]

con IXTK140N30P chịu được 300V 140A đó bạn coi dùng được không

[quocbinhtoit]

con IXTK140N30P áp max 300V dòng max 140A

[Bacnguyen]

Chào anh Vinh,
Em là TV mới của diễn đàn , em thích điện tử công suất lắm lắm ! bây giờ em đang kẹt 1 mạch kích cho con IGBT (200A 600V) ý của em là: mạch sẽ kích tự động kích con IGBT nối tiếp với 1 điện trở CS (50Kw 250V) từ 0 .. 120A trong khoảng thời gian đạt sẵng từ 0..40s or 60s , hoạc anh thiết kế bán cho em cũng được ! em cần lắm (để thí nghiệm),
Cảm ơn anh ,
Tin
Mail cua em là: Bacnnguyen@Gmail.com

[cmbm_capstan]

Chào mọi người. em là thành viên mới của diễn đàn và đang bắt đầu tìm hiểu về IGBT. Hiện giờ e đang có thắc mắc là: dựa vào đâu để phân loại các van IGBT theo dải công suất. thường thì chia từ 6-20A, 20-100A và lớn hơn 100A ! còn 1 câu nữa e k biết có đúng hay k: có 2 cách mở van cách ly :dùng biến áp xung và dùng phương pháp cách ly bằng phần tử quang !Như thế có đúng k ạ?
Mong mng giúp đỡ ạ !