TỰ LÀM 600W PURESINE INVERTER 12VDC - 220VAC (Mở lại chủ đề của thanhfdc bị xóa nhầm)

[thanhfdc]

Có phải trở nào cũng làm shunt đc đâu. Mấy loại màng than ko dùng đc. CS bé thì màng kim loại. Chuẩn thì trở dây quấn, cao cấp hơn thì trở sứ điện cảm ký sinh thấp. CS cao hẳn thì có shunt dạng jumper.

Bảo vệ 5V thì dùng TVS như này mới đảm bảo: http://banlinhkien.vn/goods-6916-dio...0w-5v-dip.html

Buồn ngủ gặp chiếu manh. Vớ đc con modem ADSL cũ. Có 2 con SK14. Vfmax 0.55V, ở 0.01A - 0.1A Vf có 0.25V. Dán vào đít cái mạch nắn CT TG1000, trở gánh 1K. Để test độ tuyến tính từ 60W xem thế nào.

[dinhthuong80]

Ay da, mới phải trả giá đắt cho con Rs cầu H 0.1R/1W 1%. mcu đặt 2.5A, đang thắp bóng dây tóc 200W, CS thực 175W (0.8A), đấu tiếp cái compact 150W vô( 1.3A) xem có ngắt mạch không thì thu được kết quả khủng khiếp: nổ shunt, cháy bốc lửa khu vực Zen 5V bảo vệ chân Ifb, cháy đứt chân R 5k1 nối mass cho mos cùng 1n4148 và Rg 16R của mos! Và hậu quả là đi 2 cặp mos 13NM60, chết 2 IR2113, chết một chân spwm của mcu luộn!

Con shunt chịu được 3.3A trung bình, tức thời phải tới 4 5A thế mà.......

[TP_Electro]

Ok mình hiểu rồi. Định làm cái để bảo dưỡng cái accu định kì nhằm tăng khả năng tích điện. Ah mạch này hiệu suất có vẻ thấp do xung kích bin suy giảm một ít trên L2 nhỉ. Sao họ khong dùng kiểu boot ta, chỉ tốn 1 cuộn L.

Chắc làm lại cái mạch nạp trước vì đang sạc cái accu bằng cái nguồn xung 10A trực tiếp. Không niết kết hợp xung desulfat để kết hợp sạc đc không nhỉ.

[thanhfdc]

Cuộn L1 mới là cuộn chính tạo ra xung cảm ứng. Nó được nạp năng lượng ở C4 khi MOS on. Khi MOS off năng lượng tích lũy kia đổi chiều, ghép với áp trên C4, qua D1 xả lại vào cọc bình.

L2 chỉ để nạp năng lượng cho C4 và ngăn tổn hao xung khử. D1 cần chọn diode tốc độ rất cao, Vf thấp để giảm tổn hao. C4 cần chọn tụ có ESR càng thấp càng tốt. MOS cần chọn VDS càng cao càng tốt >40V, RDSon thấp.

Mấy cái này giờ chán chơi rồi vì hiệu quả ko như ý. Lõi này mình cũng có, thường vặt ở main TV CRT cũ.

[TP_Electro]

Nguyên lý là băm xung tần số 1-2khz, điện áp cao: 40V - 100V, thời gian ngắn vài trăm ns đến vài chục ms vào cọc bình. (Cùng 1 duty lái MOS, với bình càng tốt thì xung vào cọc bình càng bị ngắn, hẹp lại). Có thể băm từ DC có sẵn, hoặc boost lên từ áp bình, nạp trên tụ hoặc dùng cuộn cảm tích lũy năng lượng và xả vào cọc bình. Mạch gốc nó chạy 555 lái IRF9Z34, bạn có thể search mạch đó để biết nguyên lý.

Nếu dùng MCU thì có thể băm với cường độ cao hơn bằng cách giảm điện cảm cả 2 cuộn xuống, tăng tụ 100uF lên, chạy ngắt nghỉ theo chu kỳ 1 vài s.

Cảm ơn bạn , để mình tìm hiểu thêm. Mình có 4 cuộn, nếu bạn muốn mình tặng bạn 2 cuộn để dùng.

Chổ này có phải ý bạn là cho duty nhỏ lại khi accu ít bị sunfat hóa phải không hè. (Cùng 1 duty lái MOS, với bình càng tốt thì xung vào cọc bình càng bị ngắn, hẹp lại).

Như vậy dòng điện sẽ nhỏ hơn. Cho mình hỏi là tần số đó là tối ưu nhất hay có thể tăng tần số thì khử nhanh hơn không nhỉ?

Theo sơ đồ thấy nó dùng đến 2 cuộn lọc, Tụ C4.. Khối tạo xung cao áp mình chưa hiểu lắm.

Mình thử phân tích vầy thử có đúng ko nhé: Chu kì 1. Khi vừa cấp nguồn, mos chưa on, tụ C4 và L2 được nạp năng lượng cho đến khi tự C4 đầy, thì L2 bắt đầu xả năng lượng. Áp sinh ra từ L2 + với áp tụ C4 có biên độ rất cao chạy nạp ngược lại cực Bat+.

Và chu kì 2 là khi Mos dẫn, năng lượng tụ C4 được xả qua L1, khi C4 xả hết L1 xả năng lượng qua L2 qua D1, đồng thời lúc này C4 lại đc nạp và L2 càng được nạp mạnh hơn. Và sau đó lại xảy ra như chu kì 1.

[thanhfdc]

Nguyên lý là băm xung tần số 1-2khz, điện áp cao: 40V - 100V, thời gian ngắn vài trăm ns đến vài chục ms vào cọc bình. (Cùng 1 duty lái MOS, với bình càng tốt thì xung vào cọc bình càng bị ngắn, hẹp lại). Có thể băm từ DC có sẵn, hoặc boost lên từ áp bình, nạp trên tụ hoặc dùng cuộn cảm tích lũy năng lượng và xả vào cọc bình. Mạch gốc nó chạy 555 lái IRF9Z34, bạn có thể search mạch đó để biết nguyên lý.

Nếu dùng MCU thì có thể băm với cường độ cao hơn bằng cách giảm điện cảm cả 2 cuộn xuống, tăng tụ 100uF lên, chạy ngắt nghỉ theo chu kỳ 1 vài s.

[TP_Electro]

Lõi drum của Sơn cỡ D~ 1.6cm thì có thể làm tốt.

Có ai đo thử tỷ số biến dòng của santak tg1000 chưa thế?

Đo cái lõi đúng y 1.5cm luôn. Mình có 4 cái, ko biết dùng mấy cái 1 mạch nhỉ? Mình chưa tìm hiểu đến mạch này. thanhfdc có thể cho mình biết chút nguyên lí đc không hè?

Còn cái bax ee55 loại nằm, sơ cấp sao nó quấn dây 1 lõi khoảng hơn 1li, thứ cấp thì quấn dây bệnh nhỏ li ti.

[dinhthuong80]

Dinhthuong80 biến áp của b dùng e42 à quấn đồng lá hay dây bện vậy

Bản V0/DIP thì EE42 đồng lá 0.4x1.5mm, V1/V2 thì EE55 thì đồng lá 0.4x3.0mm.

[vanthanh298]

Dinhthuong80 biến áp của b dùng e42 à quấn đồng lá hay dây bện vậy

[TP_Electro]

Zuj bất tuyến tính thì khả năng lớn là do xung nhiễu kết hợp vs nắn lọc qua tụ. Mình dò mạch thằng Bpw nó ko nắn bằng diode mà đấu ngỏ ra r 20R rồi qua op khả năng là nắn lọc kết hợp khuếch đại luôn.

Chưa có thời gian gắn cái ct sắt từ vào test thử xem sao.

[thanhfdc]

Tại lười nên hỏi, chả buồn động chân tay. Có mỗi 1 cái thì phá làm sao. Hỏi để tính trở gánh, phân áp... hàn luôn vào mạch cho nhanh. Đành tự thân vận động vậy. 2 lần đo là có tỷ số thôi.

[dinhthuong80]

Lõi drum của Sơn cỡ D~ 1.6cm thì có thể làm tốt.

Có ai đo thử tỷ số biến dòng của santak tg1000 chưa thế?

6i giời, ông bạn mà lại hỏi cái tỉ số CT1000 sao? Cứ cấp xung vào đo xung ra mà tính tỉ số hoặc đơn giản hơn hết là phá một cái ra đếm, thứ cấp chắc cỡ 2-300 vòng là cùng.
// nghĩ cũng tức cái vụ bất tuyến tính khi dùng biến dòng này quá, không hiểu vì đâu! Để khi rảnh mình ráp mạch chỉnh lưu chính xác với OP07 gắn vào xem sao

[thanhfdc]

Lõi drum của Sơn cỡ D~ 1.6cm thì có thể làm tốt.

Có ai đo thử tỷ số biến dòng của santak tg1000 chưa thế?

[vanthanh298]

Cuối cùng cũng ra bệnh do m hàn sai con trở 100k chân 2 lm358 thành 10k

[bqviet]

WV = working voltage. Tụ 450WV và tụ 450V thực ra như nhau. Cách viết khác chút thôi.